一种硅基薄膜太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括的步骤有：采用皮秒激光束在透光导电氧化物层上进行刻划第一沟槽，其中，导电氧化物层与衬底叠加设置；在刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；在半导体光电转化层上进行刻划第二沟槽；在刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；在半导体光电转化层和上背电极层进行刻划第三沟槽。本发明专利技术硅基薄膜太阳能电池制备方法所刻划形成的沟槽光滑、均匀，刻划速度快、质量高，且该方法提高了生产效率，降低了生产成本，工序简单，适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新能源中的薄膜太阳能电池
，具体的说是涉及。
技术介绍
随着薄膜太阳能市场的日益扩大，硅基薄膜太阳能电池也在市场中占有了举足轻重的地位。通常，在硅基薄膜太阳能电池的整个组件封装过程中，总共需要进行三次以上的激光刻线工艺。据了解，第一次光刻(PD的作用是将透明导电氧化层(TCO)分节，以作为子电池的衬底；第二次光刻(P2)的作用是将a-Si膜层刻蚀沟槽，为背电极填充做准备;第三次光刻(P3)的作用是完成子电池的分离，形成若干子电池的串联、切掉硅层和背电极；最后还要进行激光扫边,扫去成品电池芯片边缘部位,使边缘部位绝缘达到边缘保护要求， 后用于组件车间层压。当今的超短脉冲激光器被用于很多材料的高精度结构生产加工，这是由于超短激光技术既非热烧蚀、也非“冷”烧蚀的加工特点。目前对于薄膜太阳能电池的加工都还是基于纳秒激光烧蚀和机械刻线，该传统激光光源已经无法满足烧蚀质量的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术之缺陷，提供一种刻划质量高，能够满足产业上加工速度的需求，工序简单，生产成本低的硅基薄膜太阳能电池制备方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括如下步骤：提供在表面镀有透光导电氧化物层的透光的衬底；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底到达所述导电氧化物层，并且划刻所述导电氧化物层，以形成贯穿所述导电氧化物层的第一沟槽；在所述刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底和导电氧化物层到达所述半导体光电转化层，并且划刻所述半导体光电转化层，以形成贯穿所述半导体光电转化层的第二沟槽；在所述刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底、导电氧化物层和半导体光电转...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，顾毅，
申请(专利权)人：信义光伏产业安徽控股有限公司，
类型：发明
国别省市：