叠层硅基异质结太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面生长有正面ZnO层，正面ZnO层的正面依次生长有正面a-Si:H(i)层、正面a-Si:H(n+)层，正面a-Si:H(n+)层正面具有SiO2层，c-Si(p)基体背面生长有背面ZnO层，背面ZnO层背面依次生长有背面a-Si:H(i)层、背面a-Si:H(p+)层，背面a-Si:H(p+)层背面沉积有AL2O3薄膜。本发明专利技术增加了非晶硅对光的吸收，减少了非晶硅的厚度，减弱了非晶硅的光致衰减效应，提高稳定性，有利于提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种叠层硅基异质结太阳能电池。
技术介绍
非晶硅与晶体硅叠层电池中非晶硅较薄，晶体硅较厚，容易导致顶电池光吸收下降，短路电流密度(JSC)低于顶电池，形成顶、底电池电流不匹配。根据电流连续性原理，整个叠层电池的短路电流密度受到顶电池的限制，从而产生了带中间层的晶体硅/非晶硅电池。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供叠层硅基异质结太阳能电池，增加非晶硅对光的吸收，减少非晶硅的厚度，提高电池效率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si (P)基体，c-Si (P)基体正面生长有厚度为10 50nm的正面ZnO层，所述的正面ZnO层的正面依次生长有正面a-Si :H(i)层、正面a_Si :H(n+)层,所述的正面a_Si :H(i)层厚度为5± Inm,所述的正面a-Si:H(n+)层厚度为10±2nm,所述的正面a_Si:H(n+)层正面具有厚度为I 2nm的SiO2层，所述的c_Si (p)基体背面生长有厚度为10 50nm的背面ZnO层，所述的背面ZnO层背面依次生长有背面a_Si:H(i)层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层硅基异质结太阳能电池，其特征在于：具有c？Si(p)基体（1），c？Si(p)基体（1）正面生长有厚度为10～50nm的正面ZnO层（21），所述的正面ZnO层（21）的正面依次生长有正面a？Si:H(i)层（31）、正面a？Si:H(n+)层（41），所述的正面a？Si:H(i)层（31）厚度为5±1nm，所述的正面a？Si:H(n+)层（41）厚度为10±2nm，所述的正面a？Si:H(n+)层（41）正面具有厚度为1～2nm的SiO2层（51），所述的c？Si(p)基体（1）背面生长有厚度为10～50nm的背面ZnO层（22），所述的背面ZnO层（22）背面依次生长有背面a？Si...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：