The invention provides a preparation method of a Si nano rod /QDs composite high-efficiency silicon base solar cell sheet. The trapping structure of one-dimensional silicon nanorods can improve the light absorption performance of the cell sheet greatly, but the surface carrier recombination rate is larger, which is the biggest obstacle to further improve the photoelectric conversion efficiency. We will be quantum dots and silicon nano rod composite, the close contact formed heterojunction, make full use of quantum dots quantum confinement effect and multi exciton effect, improve the separation of hot carriers and capture efficiency, and improve the photoelectric conversion efficiency of silicon solar cell. The silicon base battery plate is monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon or microcrystalline silicon semi-finished product and finished product solar cell sheet. In addition, the invention has the advantages of simple process, high material utilization rate and low production cost, so the utility model is suitable for large-scale industrial production.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电纳米材料及太阳能电池领域,具体说是Si纳米杆/QDs复合娃基太阳能电池片及其制备方法。技术背景硅基电池是目前转换效率最高,技术最为成熟的光伏器件。晶硅太阳能电池的理论转化效率可达31%,实验报道的最高转化效率为25%,而工业化生产的成品电池效率约为15%。制约晶硅电池光电转换效率的主要原因是晶硅材料的光吸收效率不高:高于晶体硅能隙(1.12eV)的太阳光子以“热电子”的形式损耗。一系列减反射措施如表面织构化、表面蚀亥IJ、发射区钝化、分区掺杂、溅射Si3N4减反射涂层改进了光吸收性能,但大大增加了生产成本。一维硅纳米杆结构可使硅基太阳能电池的光吸收率大大增强,且具有生产成本低的优点,但其表面载流子较大的复合速率是影响其进一步提高光电转化效率的最大障碍。量子点具有吸收光谱宽、吸收系数高的特性,因而能够作为与氮化硅辅助的光吸收材料,能够拓宽晶硅电池的吸收光谱。量子点的量子限域效应,使得其具有减缓热载流子冷却速率和电子驰豫的作用,可使热载流子在冷却到带边之前,将它们捕获利用。如果热载流子的全部能量能够被捕获,则光电转换效率理论上可以达到66%以上。若将半导体量子点与硅纳米杆结合,形成量子点与硅纳米杆材料的异质结构,减缓热载流子复合,则硅基电池光电转换效率将具有进一步提升的潜力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于将胶体量子点与硅纳米杆太阳能电池片相结合,利用其各自优点对硅基太阳能电池进行增效处理。使用简单易操作的方法制备硅纳米杆,并将胶体量子点沉积吸附于硅纳米杆电池片表面,经一定的处理操作后,量子点与硅纳米杆电池形成异质结构,对电池片 ...
【技术保护点】
一种Si纳米杆/QDs复合高效硅基太阳能电池片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)电池片预处理:将硅基电池片浸入无水乙醇溶剂超声清洗15~30s,再将硅基电池片立即浸入二次蒸馏水超声清洗1?5min;(2)硅纳米杆的制备:配置0.001?0.1mol/L金属盐溶液与0.1?0.5mol/L?HF的混合溶液,将硅基电池片浸渍15?60s;配置0.3?0.8mol/L?H2O2与0.1?0.7mol/L?HF的混合液,再将硅片浸渍15?60s;最后用浓硝酸超声清洗1?5min;(3)量子点的制备:配置0.005~0.05mol/L金属源溶液,加入0.01~0.1mol/L络合剂,再加入1×10?4~1×10?3mol/L表面活性剂,获得前驱液;配置0.005~0.1mol/L含硫溶液,以1滴/5~20s的速度缓慢滴入前驱液,在磁力搅拌环境下获得量子点胶体溶液;(4)量子点在电池片上的沉积:将经过预处理的电池片浸入量子点胶体溶液中30~60s,以<1cm/s的速度缓慢提拉,吹干,此为一个沉积吸附周期,如此循环1~3次;(5)热处理:使用真空干燥箱200℃~250℃热处理1~5min。
【技术特征摘要】
1.一种Si纳米杆/QDs复合高效硅基太阳能电池片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)电池片预处理:将硅基电池片浸入无水乙醇溶剂超声清洗15~30s,再将硅基电池片立即浸入二次蒸馏水超声清洗l_5min ; (2)硅纳米杆的制备:配置0.001-0.lmol/L金属盐溶液与0.1-0.5mol/L HF的混合溶液,将硅基电池片浸溃15-60s ;配置0.3-0.8mol/L H2O2与0.1-0.7mol/L HF的混合液,再将硅片浸溃15-60s ;最后用浓硝酸超声清洗l_5min ; (3)量子点的制备:配置0.005~0.05mol/L金属源溶液,加入0.01~0.lmol/L络合剂,再加入I X 10_4~I X 10^3mol/L表面活性剂,获得前驱液;配置0.005~0.lmol/L含硫溶液,以I滴/5~20s的速度缓慢滴入前驱液,在磁力搅拌环境下获得量子点胶体溶液; (4)量子点在电池片上的沉积:将经过预处理的电池片浸入量子点胶体溶液中30~60s,以< lcm/s的速度缓慢提拉,吹干,此为一个沉积吸附周期,如此循环I~3次; (5)热处理:使用真空干燥箱200°C~250°C热处理I~5min。...
【专利技术属性】
技术研发人员:余锡宾,冯吴亮,李宇生,尧志凌,浦旭鑫,夏玉胜,刘洁,
申请(专利权)人:上海师范大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。