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本发明实施例公开了一种制造黑硅结构的方法，包括：获取P型硅衬底；在P型硅衬底上形成黑硅层；在黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。本发明的实施例中，制成的黑体结构对可见光以及近红外光波段有良好的吸收性能、噪声电流低、信噪比高、并且操作简单...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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