N型太阳能电池板的制作方法以及N型太阳能电池板技术

本发明专利技术公开了一种N型太阳能电池板的制作方法，包括步骤：1、通过扩散工艺于硅片上制作PN结；2、于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域；3、对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗；4、对硅片进行镀膜设置，并印刷电极。本发明专利技术提供的N型太阳能电池板的制作方法，采用丝网印刷的方式进行腐蚀浆料的印刷操作，从而使得硅晶体上形成高低PN结，该操作便于实施，操作简单。本发明专利技术还提供了一种N型太阳能电池板，包括硅片和印刷于硅片上的电极，硅片与电极相连接的部位为杂质高掺杂深扩散区，与杂质高掺杂深扩散区相邻近的区域为杂质低掺杂浅扩散区，使得N型太阳能电池板具有较高的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏行业
，更具体地说，特别涉及一种N型太阳能电池板的制作方法以及一种N型太阳能电池板。
技术介绍
晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。其中晶体硅太阳电池的90%是P型，如何进一步提高效率，降低成本是国内外
研究的基本目标。随着工艺技术的发展，N型晶硅电池以其成本低效率高，越来越受到市场的重视。然而，如何提高N型晶硅电池的光电转换效率成为了本领域的研究重点之一，其中，选择性发射极结构成为了 N型晶硅太阳电池提高转换效率的方法之一。 现有技术中，N型晶硅电池制作选择性发射极结构的方法包括I、正常工艺时硼扩散采用掩膜技术，将光源依照选择性发射极的须要进行掩模处置，使得平均地印刷在硅片概况上的杂质在扩散进程中受光和热不平均而造成扩散深浅分歧、浓度高下分歧的区域，但是这种方式对掩膜要求比较高且操作复杂；2、电极区印刷高浓度硼浆，然后放入扩散炉中进行扩散，这样也可以形成高低浓度的分布，获得选择性发射极构造，但是这种方法要求快速扩散，否则印刷的硼浆会挥发而不能达到扩散的效果；3、利用激光在发射极印刷栅线的位置刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型太阳能电池板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、通过扩散工艺于硅片上制作PN结；步骤2、于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域；步骤3、对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗；步骤4、对所述硅片进行镀膜设置，并印刷电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王英超，于全庆，郎芳，李高非，胡志岩，熊景峰，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：