本发明专利技术公开了一种N型太阳能电池板的制作方法，包括步骤：1、通过扩散工艺于硅片上制作PN结；2、于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域；3、对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗；4、对硅片进行镀膜设置，并印刷电极。本发明专利技术提供的N型太阳能电池板的制作方法，采用丝网印刷的方式进行腐蚀浆料的印刷操作，从而使得硅晶体上形成高低PN结，该操作便于实施，操作简单。本发明专利技术还提供了一种N型太阳能电池板，包括硅片和印刷于硅片上的电极，硅片与电极相连接的部位为杂质高掺杂深扩散区，与杂质高掺杂深扩散区相邻近的区域为杂质低掺杂浅扩散区，使得N型太阳能电池板具有较高的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏行业
，更具体地说，特别涉及一种N型太阳能电池板的制作方法以及一种N型太阳能电池板。
技术介绍
晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。其中晶体硅太阳电池的90%是P型，如何进一步提高效率，降低成本是国内外
研究的基本目标。随着工艺技术的发展，N型晶硅电池以其成本低效率高，越来越受到市场的重视。然而，如何提高N型晶硅电池的光电转换效率成为了本领域的研究重点之一，其中，选择性发射极结构成为了 N型晶硅太阳电池提高转换效率的方法之一。 现有技术中，N型晶硅电池制作选择性发射极结构的方法包括I、正常工艺时硼扩散采用掩膜技术，将光源依照选择性发射极的须要进行掩模处置，使得平均地印刷在硅片概况上的杂质在扩散进程中受光和热不平均而造成扩散深浅分歧、浓度高下分歧的区域，但是这种方式对掩膜要求比较高且操作复杂；2、电极区印刷高浓度硼浆，然后放入扩散炉中进行扩散，这样也可以形成高低浓度的分布，获得选择性发射极构造，但是这种方法要求快速扩散，否则印刷的硼浆会挥发而不能达到扩散的效果；3、利用激光在发射极印刷栅线的位置刻槽，再利用丝网印刷技术在槽内涂硼浆，扩散后在刻槽四周就可以形成高掺杂深扩散区，而在其他处所形成低掺杂浅扩散区，但是此技术成本高，工艺复杂。综上所述，如何提供一种N型太阳能电池板选择性发射极的制作方法，该方法对N型太阳能电池板制作选择性发射极结构的操作较为简便，成为了本领域技术人员亟待解决问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为提供一种N型太阳能电池板的制作方法以及一种N型太阳能电池板，该N型太阳能电池板通过使用该N型太阳能电池板的制作方法制造，该N型太阳能电池板的制作方法工艺简单，易于操作。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种N型太阳能电池板的制作方法，包括步骤SI、通过扩散工艺于硅片上制作PN结；S2、于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域；S3、对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗；S4、对所述硅片进行镀膜设置，并印刷电极。优选地,所述步骤SI包括步骤S11、采用化学清洗对硅片表面进行结构化处理；S12、于所述硅片的两侧分别进行磷原子扩散与硼原子扩散。优选地,所述步骤S4包括步骤S41、对所述硅片的两侧面进行绝缘处理；S42、采用PECVD法对所述硅片的两侧面进行沉积镀膜；S43、印刷电极并烧结。本专利技术还提供了一种N型太阳能电池板，包括硅片和印刷于所述硅片上的丝网，所述硅片与所述丝网相连接的部位为杂质高掺杂深扩散区，与所述杂质高掺杂深扩散区相邻近的区域为杂质低掺杂浅扩散区。本专利技术提供的一种N型太阳能电池板的制作方法，包括步骤SI、制作PN结，通过扩散工艺于硅片上制作PN结；在本步骤中，通过在纯净的硅晶体中掺入V族元素(如磷、砷、锑等)，使之取代晶格中硅原子的位置，从而形成N型晶硅；在扩散过程中，III族元素通过扩散作用像硅晶体中深入，从而形成PN结；S2、印刷腐蚀浆料，于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域，通过丝网把腐蚀浆料印刷到发射极的非印刷电极区域，通过腐蚀浆料对硅晶体的腐蚀作用，降低硅晶体中III族元素的扩散浓度，使之形成轻掺杂区域；S3、腐蚀浆料清洗，对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗，从而对腐蚀浆料的腐蚀范围进行控制，避免腐蚀浆料的腐蚀程度过大，而对对硅晶体表面形成高低PN结产生负面影响(例如腐蚀程度过大，高浓度掺杂区就会相应减小，高低PN结形成区域就会减小)；S4、印刷电极，对硅片进行镀膜设置，并印刷电极，在本步骤中，对硅晶体采用PECVD进行双面沉积镀膜设置，如此提高光照的利用率，提高硅晶体的光电转换效率。本专利技术提供的N型太阳能电池板的制作方法，通过上述步骤使得硅晶体形成横向结P++/N和高低结P++/P+。电极制作在重掺区域(P++ :表示掺杂的杂质含量浓度较高)上有利于减少金属与纯硅之间的接触电阻，产生良好的欧姆接触，光照的地方是轻掺杂区，低的表面浓度可使表面钝化效果更好的发挥，解决了掺杂过重产生“死层”的矛盾。综述，具有上述结构的太阳能电池能够使得过剩的多数载流子更容易被电极收集，由此极大程度地减少少数载流子的复合，降低暗电流，所以短路电流、开路电压都会得到增加。本专利技术提供的N型太阳能电池板的制作方法，采用丝网印刷的方式进行腐蚀浆料的印刷操作，从而使得硅晶体上形成高低PN结，该操作便于实施，操作简单。本专利技术还提供了一种N型太阳能电池板，包括硅片和印刷于硅片上的电极，硅片与电极相连接的部位为杂质高掺杂深扩散区，与杂质高掺杂深扩散区相邻近的区域为杂质低掺杂浅扩散区。由上述可知，电极制作在重掺区域(P++ :表示掺杂的杂质含量浓度较高)上有利于减少金属与纯硅之间的接触电阻，产生良好的欧姆接触，光照的地方是轻掺杂区，低的表面浓度可使表面钝化效果更好的发挥，解决了掺杂过重产生“死层”的矛盾。采用该结构的N型太阳能电池板，由于接触电阻变小、钝化效果更佳，使得N型太阳能电池板具有较高的光电转换效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图I为本专利技术一种实施例中N型太阳能电池板的制作方法的流程图；图2为本专利技术一种实施例中N型太阳能电池板的结构示意图；图2中部件名称与附图标记的对应关系为硅片I ;电极2 ；杂质高掺杂深扩散区a ;杂质低掺杂浅扩散区b。具体实施方式 本专利技术的核心为提供一种N型太阳能电池板的制作方法以及一种N型太阳能电池板，该N型太阳能电池板通过使用该N型太阳能电池板的制作方法制造，该N型太阳能电池板采用丝网印刷腐蚀浆料制作选择性发射极结构，其制作方法工艺简单，易于操作。为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明。请参考图1，图I为本专利技术一种实施例中N型太阳能电池板的制作方法的流程图。本专利技术提供了一种N型太阳能电池板的制作方法，能够在工艺较为简单的实施条件下，对N型太阳能电池板进行批量生产。包括步骤SI、制作PN结，通过扩散工艺于硅片上制作PN结；在本步骤中，通过在纯净的硅晶体中掺入V族元素(如磷、砷、锑等)，使之取代晶格中硅原子的位置，从而形成N型晶硅；在扩散过程中，III族元素通过扩散作用像硅晶体中深入，从而形成PN结；S2、印刷腐蚀浆料，于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域，通过丝网把腐蚀浆料印刷到发射极的非印刷电极区域，通过腐蚀浆料对硅晶体的腐蚀作用，降低硅晶体中III族元素的扩散浓度，使之形成轻掺杂区域；S3、腐蚀浆料清洗，对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗，从而对腐蚀浆料的腐蚀范围进行控制，避免腐蚀浆料的腐蚀程度过大，而对对硅晶体表面形成高低PN结产生负面影响(例如腐蚀程度过大，高浓度掺杂区就会相应减小，高低PN结形成区域就会减小)；S4、印刷电极，对硅片进行镀膜设置，并印刷电极，在本步骤中，对硅晶体采用PECVD进行双面沉积镀膜设置，如此本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种N型太阳能电池板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、通过扩散工艺于硅片上制作PN结；步骤2、于硅片上发射极的非印刷电极区域印刷腐蚀浆料，形成轻掺杂区域；步骤3、对进行腐蚀浆料印刷的区域进行清洗；步骤4、对所述硅片进行镀膜设置，并印刷电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王英超，于全庆，郎芳，李高非，胡志岩，熊景峰，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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