制造电磁辐射探测器的方法及通过该方法获得的探测器技术

一种用于移除电磁辐射探测电路的生长衬底的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延而获得的Hg(1-x)CdxTe制成的探测所述辐射的层，所述探测电路混接在读取电路上。该方法包括：使生长衬底经受机械抛光或化学-机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至探测电路的材料与生长衬底之间的界面区域；以及使由此获得的界面经受碘处理。

【技术实现步骤摘要】
制造电磁辐射探测器的方法及通过该方法获得的探测器
本公开内容涉及电磁辐射探测器，并且更具体地涉及用于制造这种探测器的方法。本公开内容更具体地涉及红外光谱范围并且特别地涉及近红外范围以及可见光范围。
技术介绍
电磁辐射探测器通常由用于探测待探测的电磁波的电子电路形成，因此对对应的波长范围是灵敏的，并且以已知的方式，连续地将电磁辐射转变成电信号。这样的探测电路与意图转换由探测电路生成的电信号的电子读取电路相关联，尤其是通过放大电信号以使得其能够经受后续处理来关联。更具体地，本专利技术的一个目的是提供一种探测器，该探测器通过公知的倒装芯片技术，利用混接凸点(hybridizationbump)或微凸点(microbump)，由与通常由硅制成的读取电路相混接的探测电路形成，并且从背侧探测目标辐射。所考虑的探测器包括基于通式为HgCdTe的合金来形成其探测电路的那些探测器，所述合金材料对红外电磁辐射的吸收是公知的。该材料通常通过液相外延或气相外延获得，或者通过分子束外延获得，所述分子束外延是基于由固体CdZnTe合金形成的衬底，或者，作为一个变化方案，基于Si、Ge或AsGa型的半导体衬底，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于移除电磁辐射探测电路(3、4、5)的生长衬底(4)的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延获得的Hg(1？x)CdxTe制成的探测所述辐射的层(3)，所述探测电路混接在读取电路(1)上，所述方法包括：●使所述生长衬底(4)经受机械抛光或化学？机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至所述探测电路的材料与所述生长衬底之间的界面区域；●以及使由此获得的所述界面经受碘处理。

【技术特征摘要】
2011.06.30 FR 11/020311.一种用于移除电磁辐射探测电路(3、4、5)的生长衬底(4)的方法，所述电磁辐射是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延获得的Hg(1-x)CdxTe制成的探测所述辐射的层(3)，所述探测电路混接在读取电路(1)上，所述方法包括：使所述生长衬底(4)经受机械抛光或化学-机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至所述探测电路的材料与所述生长衬底之间的界面区域；以及使由此获得的所述界面经受碘处理，其中所述碘处理在酸性介质中进行，其中所述生长衬底由固体Cd(Zn)Te材料形成，或者由单晶半导体形成，在所述单晶半导体上已经预先沉积有具有几微米厚度的基于CdTe的网格参数适配层。2.根据权利要求1所述的用于移除电磁辐射探测电路(3、4、5)的生长衬底(4)的方法，其中碘以分子形式存在于溶液中并且其中其溶剂是水。3.根据权利要求1所述的用于移除电磁辐射探测电路(3、4、5)的生长衬底(4)的方法，其中所述碘处理通过将由所述机械抛光或化学-机械抛光步骤或由所述化学蚀刻获得的探测器浸没到具有以下成分的浴中来进行：分子碘：10-1M至10-5M；0.09M...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·波泰，阿诺·埃切伯里，亚历山大·考西耶，伊莎贝尔·热拉尔，
申请(专利权)人：法国红外探测器公司，国家科学研究中心，
类型：发明
国别省市：