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一种用于移除电磁辐射探测电路的生长衬底的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延而获得的Hg(1-x)CdxTe制成的探测所述辐射的层，所述探测电路混接在读取电路上...
该专利属于法国红外探测器公司;国家科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过法国红外探测器公司;国家科学研究中心授权不得商用。

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