一种提高太阳能电池表面钝化的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高太阳能电池表面钝化的方法，按照如下步骤进行：A将硅片置于一定浓度酸性或碱性溶液中进行清洗制绒处理；B将制绒后的硅片置于石墨舟中，放入管式PECVD设备，进行氢离子钝化；C钝化过程中，管式PECVD不需要通入硅烷，在等离子体作用下只通入一定流量的氨气，即可实现钝化过程。本发明专利技术的有益效果是通过氢离子的钝化作用，提高硅片的少子寿命，减少硅片表面的悬挂键和晶体缺陷，钝化工艺时间短，方法简单易操作，同时达到提高太阳能电池片的光电转换效率的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种提高太阳能电池表面钝化的方法
本专利技术涉及太阳能电池制作
，具体地说是涉及一种提高太阳能电池表面钝化的方法。
技术介绍
影响晶体硅电池片少子寿命的主要因素有两点：一是金属离子沾污，二是硅片悬挂键和体内缺陷。金属离子沾污主要与硅材料的提纯和硅片切割技术有关，而硅片悬挂键和体内缺陷与硅材料的纯度和掺杂有关。在太阳能电池的生产过程中，少子寿命越高，其相应的光电转化效率也越高，一般要求单晶少子寿命超过10us，多晶少子寿命超过2us，这样制备的电池片效率相对较高。在晶体硅太阳能电池生产过程中，通过氢离子的钝化作用，可以明显减少硅片表面的悬挂键和缺陷，提高硅片的少子寿命，最终提高电池片的光电转化效率。目前，在晶硅太阳能电池工艺中，利用氢钝化以减少晶格缺陷的有害效应的方法包括：离子化氢原子注入法（U.S.5304509）；氢气氛围中加热处理（U.S.5169791）；以氢气等离子体进行扩散处理（U.S.4835006和U.S.4343830）等。上述氢钝化方法中存在钝化工艺时间过长或大面积离子束源才能达到钝化效果。因此，在实际生产过程中，会带来生产效率过低以及成本过高的不利因素。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高太阳能电池表面钝化的方法，其特征在于按照如下步骤依次进行：A将硅片置于一定浓度酸性或碱性溶液中进行清洗制绒处理；B将制绒后的硅片置于石墨舟中，放入管式PECVD设备，进行氢离子钝化；C钝化过程中，管式PECVD不需要通入硅烷，在等离子体作用下只通入一定流量的氨气。

【技术特征摘要】
1.一种提高太阳能电池表面钝化的方法，其特征在于按照如下步骤依次进行：A将硅片置于一定浓度酸性或碱性溶液中进行清洗制绒处理；B将制绒后的硅片置于石墨舟中，放入管式PECVD设备，进行氢离子钝化；C钝化过程中，管式PECVD不需要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐杰，
申请(专利权)人：浙江鸿禧光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：