【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅纳米孔阵列，特指应用于大面积单面或双面硅基太阳电池的正方形硅纳米孔阵列的制备方法，即ー种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。
技术介绍
硅纳米孔具有许多显著不同于其他低维半导体材料的电学、光学等新颖物理性质，这使其在光探測器件、纳米传感器和太阳能电池行业中具有潜在的应用，尤其在提高太阳能电池光吸收、光谱响应、有效分离电子-空穴和减反射等方面拥有潜在的优势。由于硅纳米孔的自身机械强度要比硅纳米线好很多，因此硅纳米孔的研究受到了极大的关注；目前硅纳米孔阵列的制备方法按腐蚀剂成分不同可以分为干法刻蚀和 湿法刻蚀；干法刻蚀主要有光刻法、中子束刻蚀法、深反应离子刻蚀法等方法来刻蚀硅表面以获得硅纳米孔阵列的方法；湿法刻蚀主要有两步金属粒子辅助刻蚀法。干法刻蚀虽然刻蚀均匀性和重复性好，但是需在高温的条件下利用较为精密且价格昂贵的设备进行制备，这些因素造成硅纳米孔阵列制备成本的大幅度提高，同时制备效率也不是太高，因此难以实现广泛エ业应用。采用两步的金属粒子辅助刻蚀法成本低，但是操作过程复杂、金属粒子直径及其均匀性的可控性差；申请号为201110051278....
【技术保护点】
一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10？~？60？min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4？~？5？mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01？~？0.05？mol。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁建宁，张福庆，袁宁一，程广贵，王秀琴，凌智勇，张忠强，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。