【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种表面具有纳米硅线阵列的单晶硅片,由作为基底的单晶硅片和位于所述单晶硅片表面的纳米硅线阵列组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:汪鹏飞,周延彪,刘卫敏,张文军,
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。