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本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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