半导体器件及其生产方法技术

提供一种半导体元件，作为有效地使用缓冲区以将改进的结晶性和平坦性赋予功能层压体的结果，所述半导体元件具有改进的功能层压体的平坦性和结晶性。还提供一种半导体元件的生产方法。所述半导体元件通过在基板上形成缓冲区和包括多层氮化物半导体层的功能层压体而获得。所述功能层压体在缓冲区侧具有n型或i型第一AlxGa1-xN层(0≤x<1)。含有p型杂质的AlzGa1-zN调整层(x-0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)设置在所述缓冲区和所述功能层压体之间，所述含有p型杂质的AlzGa1-zN调整层中Al组成几乎等于所述第一AlxGa1-xN层的Al组成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件和半导体器件的生产方法。本专利技术特别涉及半导体器件如紫外发光二极管、电子器件，和涉及到半导体器件的生产方法。
技术介绍
近年来，已知能够有利地用于杀菌、水净化、医疗、照明和高密度光记录等领域中的紫外LED (发光二极管)和具有使用AlGaN类薄膜作为材料而形成的器件结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。此外，对于此类紫外LED和具有使用AlGaN类薄膜形成的器件结构的HEMT，已经进行各种方法以获得高品质AlGaN类薄膜。通常，紫外LED具有功能层压体，所述功能层压体具有其中发光层插入η型氮化物半导体层和P型氮化物半导体层之间的结构。为了缓和由于氮化物半导体层和基板之间的晶格常数的差异而引起的应变，功能层压体通常在其间插入缓冲区的情况下形成于基板上。HEMT具有包括均由氮化物半导体层形成的i型沟道层和η型电子供给层的功能层压体。为了降低由于氮化物半导体层和基板之间的晶格常数的差异而引起的应变，功能层压体也通常在其间插入缓冲区的情况下形成于基板之上。专利文献I公开了一种氮化物半导体基板，其中掺杂有横向生长促进物质的主要含有AlN或AlGaN的第一半导体层(缓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大鹿嘉和，松浦哲也，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：
国别省市：