半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法技术

提供与以往的发光元件相比发光特性良好的半导体发光元件。本发明专利技术的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有反复层叠第一III‑V族化合物半导体层和第二III‑V族化合物半导体层而得到的层叠体，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层中的III族元素为选自由Al、Ga、In组成的组中的1种或2种以上，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层中的V族元素为选自由As、Sb、P组成的组中的1种或2种以上，前述第一III‑V族化合物半导体层的组成波长与前述第二III‑V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为70nm以上，前述层叠体的能带结构中的导带侧的阱深度(Dc)大于价带侧的阱深度(Dv)，且Dc/(Dc+Dv)为65％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。

技术介绍

1、作为半导体发光元件中的半导体层的半导体材料，使用ingaasp、ingaalas、inassbp等iii-v族化合物半导体。通过调整由iii-v族化合物半导体材料形成的发光层的组成比，从而能够将半导体发光元件的发光波长在绿色～红外之间广泛调整。例如，如果是以波长750nm以上的红外区域为发光波长的红外发光半导体发光元件，则能够在传感器、气体分析、监控照相机、通信等用途中广泛使用。

2、专利文献1中记载了一种半导体发光元件，其具有发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一iii-v族化合物半导体层与第二iii-v族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，所述半导体发光元件中，第一iii-v族化合物半导体层的组成波长与前述第二iii-v族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，前述第一iii-v族化合物半导体层的晶格常数与前述第二iii-v族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。

3、现有技术文献

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【技术保护点】

1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备发光层，所述发光层具有反复层叠第一III-V族化合物半导体层和第二III-V族化合物半导体层而得到的层叠体，

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一III-V族化合物半导体层的晶格常数和所述第二III-V族化合物半导体层的晶格常数中的、两个晶格常数之差的绝对值除以两个晶格常数的平均值而得到的值为0.10％以上且0.40％以下。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述价带侧的阱深度Dv为0.11eV以下。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一III-V族化合物半导体层...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备发光层，所述发光层具有反复层叠第一iii-v族化合物半导体层和第二iii-v族化合物半导体层而得到的层叠体，

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一iii-v族化合物半导体层的晶格常数和所述第二iii-v族化合物半导体层的晶格常数中的、两个晶格常数之差的绝对值除以两个晶格常数的平均值而得到的值为0.10％以上且0.40％以下。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述价带侧的阱深度dv为0.11e...

【专利技术属性】
技术研发人员：小鹿优太，门胁嘉孝，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：