发光装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:8304168 阅读:177 留言:0更新日期:2013-02-07 12:01
本发明专利技术提供一种抑制元件内部的光的衰减、且出光效率高的发光装置及其制造方法。该发光装置依序包含透光性部件、具有半导体层叠部的发光元件、以及设置在半导体层叠部的电极,发光元件自透光性部件侧起具有第1区域及第2区域,透光性部件自发光元件侧起具有第3区域及第4区域,与第2区域相比,第1区域的原子排列不规则,与第4区域相比,第3区域的原子排列不规则,第1区域与第3区域直接接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有发光元件和透光性部件的。
技术介绍
以往,为提高发光装置的出光效率而进行了各种尝试。例如在专利文献I中,将P电极设为光反射层,从而利用P电极使光反射来实现出光效率的提高。在专利文献2中,通过在基板面设置凹凸,来实现出光效率的提高。专利文献I :日本特开2007-157853号公报专利文献2 日本特开2008-060286号公报·
技术实现思路
然而,即便使用例如以往的构造,也无法完全取出光。即,存在如下问题光的一部分在发光元件的上下面重复反射后被取出至外部,但反射次数越多则光越被电极等吸收而越衰减。因此,本专利技术的目的在于提供一种抑制元件内部的光的衰减、且出光效率高的。本专利技术的发光装置按顺序具有透光性部件、具有半导体层叠部的发光元件和设置在半导体层叠部的电极。尤其本专利技术的发光装置的特征在于发光元件从透光性部件侧具有第I区域和第2区域,透光性部件从发光元件侧具有第3区域和第4区域,与第2区域相比,第I区域的原子排列不规则,与第4区域相比,第3区域的原子排列不规则,第I区域与第3区域直接接合。本专利技术的发光装置的制造方法的特征在于包含发光元件准备工序,准备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:市川将嗣
申请(专利权)人:日亚化学工业株式会社
类型:
国别省市:

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