形成与碲化镉太阳能电池的后接触的方法技术

一种形成与含Cd和Te的化合物膜表面的欧姆接触的方法，所述膜可以例如在光伏电池中发现。所述方法包括：在所述含Cd和Te的化合物膜的表面上形成富Te层；在所述富Te层上沉积界面层；以及在所述界面层上敷设接触层。所述界面层由Zn和Cu的金属形式构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造薄膜IIB-VIA化合物太阳能电池的方法，所述太阳能电池更具体为CdTe太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池和模块是将太阳能转换成电能的光伏(PV)装置。最常见的太阳能电池材料是硅(Si)。但是，可以使用薄膜生长技术来制造较低成本的PV电池，所述薄膜生长技术能够使用低成本的方法将太阳能电池品质的多晶化合物吸收材料沉积到大面积的基底上。 包含周期表IIB族(Zn、Cd、Hg)和VI A族(O、S、Se、Te、Po)材料中的一些的IIB-VIA族化合物半导体是用于薄膜太阳能电池结构的优异吸收材料。特别是CdTe已经证实是能够用于以低于I美元/瓦的制造成本制造高效率的太阳能电池板。图I示出了 CdTe基薄膜太阳能电池的常用结构。图I示出了“覆盖层”结构10，其中光线通过透明片材11进入装置的活性层。透明片材11充当支承体，活性层沉积在其上。在制造“覆盖层”结构10时，在透明片材11上首先沉积透明传导层(TCL) 12。然后在TCL 12上沉积结配对层13。接下来在结配对层13上形成CdTe吸收膜14，其为p-型半导体膜。随后，在CdTe吸收膜14上沉积欧姆接触层15，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·M·巴索尔，
申请(专利权)人：安可太阳能股份有限公司，
类型：
国别省市：