具有电沉积的化合物界面层的太阳能电池的制造方法技术

一种制造太阳能电池的方法，包括在结配对层上电镀IIB-VIA族材料作为第一层或子层，和然后在该子层上方形成也是由IIB-VIA族材料构成的第二层。所述子层和第二层都包含Te。在相对低的温度下执行电镀，例如低于100℃。通过低温电镀形成子层产生小晶粒的密实膜，该密实膜在第二层的形成期间保护子层和结匹配物之间的界面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方案总体涉及用于制备辐射检测器和光伏应用的IIB-VIA族化合物半导体薄膜的制备方法。
技术介绍
太阳能电池和模块是将太阳光能转化为电能的光伏(PV)装置。最常见的太阳能电池材料是硅(Si)。然而，可以采用薄膜生长技术来制备更低成本的PV电池，所述薄膜生长技术可以利用低成本方法在大面积衬底上沉积太阳能电池品质的多晶化合物吸收材料。 包含周期表IIB族(Cd、Zn、Hg)和 VIA族(0、S、Se、Te、Po)材料中的一些的 IIB-VIA族化合物半导体是用于薄膜太阳能电池结构的优异吸收材料。特别是CdTe已经证实是能够用于以低于I美元/瓦的成本制造高效率的太阳能电池板的材料。图IA和IB示出了在CdTe基太阳能电池中采用的两种不同的装置结构。图IA是“顶衬”(super-strate)结构，其中光通过制造在其上的透明片材进入装置。图IB描绘了“底衬”(sub-strate)结构，其中光通过沉积在CdTe吸收体上的透明传导层进入装置，所述CdTe吸收体生长在衬底上方。在制造图IA的“顶衬”结构10中，透明传导层(TCL) 12首先沉积在透明片材11上。然后结配对层13本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·M·巴索尔，
申请(专利权)人：安可太阳能股份有限公司，
类型：
国别省市：