The invention discloses a reduced cadmium telluride solar cell preparation method of defect density, which comprises the following steps: providing a substrate (A); (B) deposition of transparent conductive oxide film on the substrate; the window layer (C) deposition of CdS thin films; (D) deposition of tellurium in the absorbing layer CDs thin films on thin film cadmium (E) on the surface; spraying the cadmium telluride thin film CdCl2 solution, and then carrying out heat treatment; (F) solution of cadmium telluride thin film of the heat treated with nitric acid (G) etching; cadmium telluride thin film on the etching. PECVD plasma treatment to passivate the defects. The method is in the CdTe thin film solar cell manufacturing process (CdTe), is introduced into the plasma processing, passivation of defects, reduce the defect density of CdTe thin film, improve the performance of materials, to further improve the photoelectric conversion of CdTe thin film solar cell efficiency, so as to improve the performance of the battery.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏太阳能电池
,尤其是一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法。
技术介绍
随着能源的日益短缺,人们对太阳能的开发和利用日趋重视。市场上对面积更大、效率更高,且生产成本更低的新型太阳能电池的需求日益增加。在光伏电池领域,碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池因其本身固有的材料性能和他的发展进程、便于大面积连续化生产等优点,受到广泛关注。碲化镉(CdTe)是典型的多晶结构的材料,它具有理想的1.45-1.5eV的带隙,且是一种直接带隙的半导体材料,吸收系数在5×105cm-1,因此只需要几微米的厚度的材料就可以制备高效率的太阳能电池,是一种高效、稳定、相对成本低的薄膜太阳能电池。而且碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池结构简单,容易实现规模化生产,是近年来国内外太阳能电池研究的热点之一,尤其是在薄膜太阳能电池领域。碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池主要由n型的硫化镉(CdS)和p型碲化镉(CdTe)组成,目前沉积CdS、CdTe的方法主要有电化学沉积法、射频溅射法、真空蒸发法、喷涂热分解法、近空间升华法、气相运输沉积法等。气相运输沉积法制备的碲化镉薄膜太阳能电池膜层质量好、沉积速率高、晶粒尺寸大、原材料利用率高等优点,很容易实现产业化生产。碲化镉(CdTe)作为碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层,其薄膜质量的好坏决定了碲化镉太阳能电池的性能。碲化镉作为一种化合物半导体材料,经常含有高浓度的本征缺陷和杂质缺陷等缺陷态,其中最重要的本征缺陷是阳离子空位,阳离子空位引入的深受主能级,形成载流子复合中心,减少非平衡载流子寿命,降低太阳能电池性能。因此,要提高 ...
【技术保护点】
一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(A)提供基板;(B)在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜;(C)在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积窗口层硫化镉薄膜;(D)在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜;(E)在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液,然后进行热处理;(F)对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀;(G)对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷;(H)在所述处理后的碲化镉薄膜上沉积缓冲层;(I)在所述缓冲层表面沉积金属背电极;(J)对沉积金属背电极后的电池进行退火层压。
【技术特征摘要】
1.一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(A)提供基板;(B)在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜;(C)在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积窗口层硫化镉薄膜;(D)在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜;(E)在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液,然后进行热处理;(F)对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀;(G)对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷;(H)在所述处理后的碲化镉薄膜上沉积缓冲层;(I)在所述缓冲层表面沉积金属背电极;(J)对沉积金属背电极后的电池进行退火层压。2.根据权利要求1所述的碲化镉太阳能电池制备方法,其特征在于: 所述步骤(C)中硫化镉薄膜采用气相运输法沉积、溅射、蒸发沉积、 CVD、化学浴沉积工艺中的至少一种来进行沉积。3.根据权利要求1所述的碲化镉太阳能电池制备方法,其特征在于:所述步骤(D)中碲化镉薄膜采用气相运输法沉积、溅射、...
【专利技术属性】
技术研发人员:蓝仕虎,何光俊,陈金良,齐鹏飞,唐智勇,
申请(专利权)人:中山瑞科新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。