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本发明公开了一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积透明导电氧化物薄膜；（C）沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdC...
该专利属于中山瑞科新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山瑞科新能源有限公司授权不得商用。

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