使用量子点涂覆修复发光二极管的方法和设备技术

本发明专利技术涉及发光二极管修复方法和装置，其用于通过测量所制造的发光二极管的发射特性值并且在被选为缺陷产品的发光二极管上形成量子点层，来提高产量并且将被选为缺陷产品的发光二极管修复为发射颜色或者亮度提高的高质量发光二极管。根据本发明专利技术的一方面，发光二极管的修复方法包括以下步骤：测量发光二极管的发射特性值；确定所测量的发射特性值在目标范围之外的相应发光二极管为缺陷发光二极管；以及在缺陷发光二极管的顶层上形成量子点层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及使用量子点涂覆来修复发光二极管(LED)的方法和设备，并且更具体地，涉及使用一种量子点涂覆来修复LED的方法和设备，其通过在由测量LED的发射特性值而被分类为缺陷产品的LED上形成量子点层而能够修复LED且将LED改变为具有提高的发射颜色或亮度的满意产品，从而提高LED的产量。
技术介绍
LED基于III-V族化合物半导体的氮化物半导体(诸如GaN)而被构造。发光二极管(LED)基本上通过将P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层结合在一起而被构造，其中，P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层通过利用P型或者η型杂质掺杂氮化物半导体来形成。电子和空穴的重组速率通过在P型氮化物半导体层与η型氮化物半导体层 之间放置有源层而增加，从而提高LED的亮度特性。如图I所示，典型的LED被构造为使得P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层分别连接至外部电极。当电力施加至两个电极时，LED可发射可见波长的光。此外，最近，为了提高亮度特性或者改变所发射的颜色，已经尝试在合适位置处将量子点层适当地插入至基本LED结构中，该基本LED结构包括P型氮化物半导体层、有源层和η型氮化物半导体层。此外，如图2所示，通过利用荧光层涂覆上述多层结构而形成的LED可被构造，并且可提高亮度特性。通过利用量子点层涂覆多层结构而形成的LED可被构造，并且可改变发射的颜色或提高亮度特性。例如，参考图3结构，通过利用被用于以黄色波长执行发射的量子点层来涂覆之前的LED，能够使具有在利用量子点层涂覆之前发射蓝光的结构的LED变为白光发射LED。除了包括P型氮化物半导体层、有源层和η型氮化物半导体层的基本结构之外，LED还可以以将量子点层在合适位置处适当地插入至上述LED结构中的结构来构造。各种颜色的高亮度LED能够通过利用荧光层或者量子点层来涂覆最上面的半导体层的外侧来构造。然而，当电力施加至所生产的LED并且在具有各种上述结构的LED生产期间而在质量测试阶段中使用光电检测器来测量从所生产的LED发射的光的发射强度时，如图4所示，可能存在被确定为缺陷LED的LED。由于LED的产量影响LED的价格，所以有必要通过提高被确定为缺陷LED的颜色或亮度特性并由此使LED能够使用，来减少缺陷产品的数量，使得以低成本生产具有高发射效率的LED。
技术实现思路
技术课题因此，鉴于现有技术中出现的上述问题而做出了本专利技术，并且本专利技术目的在于提供一种使用量子点涂覆来修复LED的方法和设备，其能够通过将量子点层应用至通过测量LED的发射特性值而被分类为缺陷产品的LED上来修复LED并且将LED改变为具有提高了的发射颜色或者亮度的满意产品，从而提高LED的产量。解决方案为了完成以上目的，本专利技术提供一种修复发光二极管的方法，该方法包括测量LED的发射特性值；确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及在缺陷LED的最上层上形成量子点层。发射特性值包括颜色或者亮度的数字值。 形成量子点层包括将通过混合由预定半导体纳米晶体形成的量子点与分散介质所形成的溶液应用至缺陷LED的最上层上以及干燥溶液。形成量子点层包括测量当缺陷LED运行时从缺陷LED发射并且已通过从形成有多个量子点单元的量子点掩模(quantum dot mask)中选择的量子点单元的光的发射特性值；通过比较已通过量子点单元的光的发射特性值与目标范围来确定修复量子点；以及使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。确定修复量子点包括如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则确定相应的所选量子点单元的量子点为修复量子点；以及如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离目标范围，则执行控制，使得再次测量与量子点掩模的另一量子点单元相关的发射特性值。测量光的发射特性值包括测量从缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的发射特性值，所述多个量子点单元选自多个量子点掩模中的每一个。确定修复量子点包括如果已通过多个量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则确定在选自多个量子点掩模的量子点单元的组合中使用的量子点为修复量子点；以及如果已通过多个量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离目标范围，则执行控制，使得再次测量与具有多层结构的多个相应量子点单元相关的发射特性值，所述多个相应量子点单元不同地选自多个量子点掩模以改变所述多个量子点单元中一个或多个。形成量子点层包括使用与被确定为修复量子点的量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。形成量子点层包括使用分别与被确定为修复量子点的多个量子点单元相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的量子点层。为了完成以上目的，本专利技术提供一种修复发光二极管的设备，包括光电检测装置，用于测量LED的发射特性值；确定装置，用于确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及量子点涂覆装置，用于在缺陷LED的最上层上形成量子点层。该设备进一步包括量子点掩模,被构造为使得在量子点掩模上形成多个量子点单元；和修复控制器，用于通过将从缺陷LED发射并且通过选自量子点掩模的量子点单元的光的发射特性值与目标范围相比较来确定修复量子点，并且控制量子点涂覆装置；其中，量子点涂覆装置使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。修复控制器包括量子点确定单元，如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则用于确定在相应所选量子点单元中使用的量子点为修复量子点，并且如果已通过量子点单元的光的发射特性值偏离目标范围，则产生指示再次测量发射特性值的控制信号；以及移动控制单元，用于响应于控制信号执行控制使得量子点掩模的另一量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上。该设备进一步包括用于测量已通过量子点单元的光的发射特性值的第二光电检测装置。量子点掩模包括多个量子点掩模，多个量子点掩模被构造为使得在量子点掩模中的每一个上形成多个量子点单元；以及修复控制器通过比较从缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的所测量的发射特性值来确定修复量子点，所述多个量子点单元选自多个量子点掩模中的每一个。 如果已通过多个量子点单元的光的发射特性值落在目标范围内，则量子点确定单元确定在选自多个量子点掩模的量子点单元的组合中使用的量子点为修复量子点，并且如果已通过量子点单元的光的所测量发射特性值偏离目标范围，则产生指示再次测量发射特性值的第二控制信号；以及移动控制单元响应于第二控制信号来控制多个量子点掩模的移动，使得具有多层结构并且包括不同地选自所述多个量子点掩模的一个或多个改变了的量子点单元的相应量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上。量子点涂覆装置使用与被确定为修复量子点的量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。效果量子点涂覆装置使用与被确定为修复量子点的量子点单元相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的量子点层。附图说明从结合附图的以下详细描述中，将更清晰地理解本专利技术的上述和其他目的、特征和优点，其中图I是示出了典本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金原南，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：