发光二极管制造技术

公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。该LED的电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光二极管(LED)，更具体地讲，涉及一种能够通过减少因形成在LED上部的电极结构造成的光损失来提高光提取效率的LED。
技术介绍
目前在诸如全色LED显示装置、LED交通灯和白色LED的各种应用中使用GaN基发光二极管(LED)。近来，已经预期高效白色LED将取代荧光灯。具体地讲，白色LED的效率已达到与典型荧光灯的效率水平相似的水平。通常通过在诸如蓝宝石的基底上生长外延层来形成GaN基LED，GaN基LED包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在N型半导体层和P型半导体层之间的活性层。同时，N电极焊盘形成在N型半导体层上，而P电极焊盘形成在P型半导体层上。LED通过电极焊盘电连接到外部电源而被驱动。通常在诸如蓝宝石的单晶基底上生长GaN基半导体层，并通过芯片分割工艺最终完成单个LED。此时，由于沿单晶基底的晶面分割单晶基底，所以其通常具有矩形形状。通常，最终的LED中的基底的形状限定了发光结构的形状，例如，台面(mesa)的形状、电极焊盘的形状和从电极焊盘延伸出的延伸部分的形状。例如，在第6650018号美国专利中已经公开了为了增强电流扩散而从电极接触部分延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.23 KR 10-2010-00814961.一种发光二极管，所述发光二极管包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构，其中，电极结构包括:反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，电极结构包括延伸部分和电极焊盘，延伸部分和电极焊盘包括焊盘材料层；延伸部分以线状图案从电极焊盘延伸出；反射体的集群具有沿延伸部分的线状图案形成的点图案反射体。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，反射体的集群还具有形成在电极焊盘下面的焊盘型反射体。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，焊盘材料层具有直接覆盖反射体的接触材料层以及位于焊盘材料层的最上部的键合材料层。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，接触材料层包括Cr。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，键合材料层包括Au。7.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，反射体由反射率比接触材料层的反射率高的材料形成。8.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，反射体由反射率比接触材料层的反射率高且绝缘性比接触材料层的绝缘性高的材料形成。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，反射体由分布式布拉格反射器形成。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括P型区域，在P型区域中，透明电极层向P型区域的上部暴露，电极结构被构造成使得反射体邻近透明电极层的顶表面。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括η型区域，在η型区域中，η型半导体层向η型区域的上部暴露，电极结构被构造成使得反射体邻近η型半导体层的暴露的顶表面。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括III族氮化物基半导体层。13.—种发光二极管,所述发光二极管包括:发光堆叠结构，包括下接触层和位于下接触层上的台面结构；第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺瑟，郑多娟，金京完，尹馀镇，吴尚炫，
申请(专利权)人：首尔OPTO仪器股份有限公司，
类型：
国别省市：