发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术的示例性实施例公开了一种发光二极管(LED)及其制造方法。LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层；隔离槽，将半导体堆叠件分为多个区域；连接件，设置在基底和半导体堆叠件之间，连接件将所述多个区域彼此电连接；分布式布拉格反射器(DBR)，具有多层结构，DBR设置在半导体堆叠件和连接件之间。连接件穿过DBR电连接到半导体堆叠件，并且DBR的一些部分设置在隔离槽和连接件之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光二极管(LED)及其制造方法，更具体地说，涉及一种应用了基底分离工艺的LED及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种具有这样的结构的半导体器件，其中，N型半导体和P型半导体结合在一起，LED通过电子和空穴的复 合来发光。LED已经广泛地用作显示器件和背光。另外，与传统的灯泡或荧光灯相比，LED具有较低的电能消耗以及较长的寿命，因此它们的应用领域已经扩展至用于普通照明，同时替代传统的白炽灯和荧光灯。近来，通过直接连接到交流(AC)电源而连续地发光的AC LED已经被商业化。例如，在发给Sakai等的第7417259号美国专利中公开了一种可直接连接到高电压AC电源的LED。根据Sakai等，LED元件(即，发光单元)在单个绝缘基底(例如蓝宝石基底)上二维地串联连接，以形成LED阵列。这种LED阵列在蓝宝石基底上彼此反向地并联连接。结果，提供一种可由AC电源驱动的单芯片LED。在上述AC LED中，发光单元形成在用作生长基底的基底(例如，蓝宝石基底)上。因此，发光单元的结构会受到限制，从而会在提高光提取效率方面受到限制。为了解决这一问题，在由Lee申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李剡劤，慎镇哲，金钟奎，金彰渊，
申请(专利权)人：首尔OPTO仪器股份有限公司，
类型：
国别省市：