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本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管(LED)及其制造方法。LED包括:基底;半导体堆叠件,布置在基底上,半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层;隔离槽,将半导体堆叠件分为多个区域;连接件,...该专利属于首尔OPTO仪器股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过首尔OPTO仪器股份有限公司授权不得商用。
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本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管(LED)及其制造方法。LED包括:基底;半导体堆叠件,布置在基底上,半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层;隔离槽,将半导体堆叠件分为多个区域;连接件,...