温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施方式的氮化物类半导体发光元件具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构。半导体层叠结构具有：n型半导体层；p型半导体层；设置于所述p型半导体层上的p侧电极；和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层。活性层的厚度与...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。