半导体发光元件制造技术

本发明专利技术的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化物系半导体发光元件。特别涉及一种以m面为主面的半导体发光元件。
技术介绍
包含氮(N)作为V族元素的氮化物半导体，由于其带隙大小的缘故而有望作为短波长发光元件的材料。其中，氮化镓系化合物半导体的研究尤为盛行，蓝色发光二极管 (LED)、绿色LED以及以氮化镓系半导体为材料的半导体激光器也正在被实用化(例如，参照专利文献I和2)。以下，将氮化镓系化合物半导体称为氮化物系半导体。在氮化物系半导体中包含用铝(Al)以及铟(In)的至少一种来置换Ga的一部分或全部的化合物半导体，氮化物系半导体用化学式 AlxGayInzN(O < x、y、z < 1> x+y+z = I)表示。通过用Al或In置换Ga，既能够使带隙大于GaN，也能够使带隙小于GaN。由此，不仅蓝色或绿色等的短波长的光，也能够使橙色或红色的光发光。因此，通过使用氮化物系半导体，理论上能够实现射出从整个可见光区任意选择的波长的光的发光元件，氮化物系半导体发光元件在图像显示装置或照明装置中的应用也值得期待。氮化物系半导体具有纤锌矿型结晶结构。图1以4指数标记(六方晶指数)来表示纤锌矿型结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.06 JP 2010-1779151.一种半导体发光元件，包括η型氮化物半导体层；P型氮化物半导体层；具有m面氮化物半导体层，且被夹在上述η型氮化物半导体层和上述P型氮化物半导体层之间的活性层区域；与上述η型氮化物半导体层电连接的η型电极；与上述P型氮化物半导体层电连接的P型电极；将在上述活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在上述射出面设置的条状结构，该条状结构具有向与上述m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上且80°以下、或-80°以上且-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中，上述多个凸部具有与上述射出面非平行的至少一个斜面。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中，上述多个凸部的周期为300nm以上。4.根据权利要求1到3的任意一项所述的半导体发光元件，其中，上述多个凸部的周期为8 μ m以下。5.根据权利要求1到4的任意一项所述的半导体发光元件，其中，在上述条状结构中，上述多个凸部向与上述m面氮化物半导体层的上述a轴方向成30°以上且60°以下、或-60°以上且-30°以下的角度的方向延伸。6.根据权利要求1到5的任意一项所述的半导体发光元件，其中，上述偏振光以与上述a轴相比在c轴方向上具有更宽的辐射角度的配光特性产生在上述活性层区域。7.根据权利要求1到6的任意一项所述的半导体发光元件，其中，所述半导体发光元件还包括具有第一以及第二主面的η型氮化物半导体基板，上述第一主面与上述η型氮化物半导体层相接，上述射出面为上述第二主面。8.根据权利要求1到7的任意一项所述的半导体发光元件，其中，上述P型氮化物半导体层具有第一以及第二主面，上述第二主面位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶崎瑛宏，井上彰，山田笃志，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：