【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及具有偏振特性的氮化物类半导体发光元件。
技术介绍
作为VA族元素包含氮(N)的氮化物半导体由于其能带隙的大小,作为短波发光元件的材料被看好。其中,氮化镓类化合物半导体的研究在积极进行,使用了氮化镓类化合物半导体的蓝色发光二极管(LED)、绿色LED和蓝色半导体激光器也在被实用化。以下将氮化镓类化合物半导体成为氮化物半导体。在氮化物半导体中包括将镓(Ga)的一部分或者全部用铝(Al)和铟(In)中的至少一方置换了的化合物半导体。因此,氮化物半导体用组成式AlxGayInzN (O ^ x, y, z ^ l、x + y + z = I)表示。通过将Ga用Al或In置换,能够使能带隙比GaN的能带隙大或小。由此,不仅能够发出蓝色、绿色等短波长的光, 也能够发出橙色、红色的光。从这样的特征看,氮化物类半导体发光元件也期待应用于图像显示装置和照明装置。氮化物半导体具有纤锌矿型晶体结构。附图说明图1 (a)、(b)、(c)用4指数标记(六方晶指数)表示纤锌矿型晶体结构的面。4指数标记中,使用由al、a2、a3和c表示的基本矢量表不结晶面和方位。基本矢量c在方向上延伸,该方向称为“c轴”。与c轴垂直的面(plane)称为“c面”或者“(0001)面”。图1 (a)中,c面之外图示有a面、m面。c面、a面和m面有相互垂直的关系。另外,图1 (b)中图示r面,图1 (c)中图示(11-22)面。图2 (a)用球管模型表示氮化物半导体的晶体结构。图2 (b)是从与a面垂直的a轴方向即从[11-20]方向观察m面表面附近的原子排列的图。m面与图2 (b)的纸面垂直 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.14 JP 2011-1559011.一种氮化物类半导体发光元件,其具有光取出面,该氮化物类半导体发光元件的特征在于,包括: 半导体层叠结构,其包括主面是半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层; 电极,其将从所述活性层发射的光的至少一部分在所述光取出面的方向反射; 双折射性基板,其配置于所述光取出面与所述电极之间,使从所述活性层发射的光和被所述电极反射的光透过;和 凹凸面,其位于所述活性层与所述电极之间, 在设所述基板的双折射率为△ η、所述基板的厚度为d、发光波长为λ、a为自然数的情况下,满足以下的关系,2.如权利要求1所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述凹凸面形成于所述半导体层叠结构的主面。3.如权利要求1或者2所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 构成所述半导体层叠结构的所述凹凸面的凹部到达所述活性层。4.如权利要求1 3中任一项所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述凹凸面形成于所述双折射性基板。5.如权利要求1 4中任一项所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述活性层出射电场强度在与主面平行的方向偏振了的光。6.如权利要求1 5中任一项所述的氮化物类半导体发光兀件,其特征在于: 所述双折射性基板包括主面是半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的部分。7.如权利要求6所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述双折射性基板的光学轴相对于所述基板的主面倾斜不包括O度和90度的角度。8.如权利要求6或者7所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述双折射性基板是以下基板中的一种: 主面是m面的由GaN形成的基板、 主面是a面的由GaN形成的基板、 主面是_r面的由GaN形成的基板、 主面是a面的在表面具有GaN层的r面蓝宝石基板、 主面是m面的在表面具有GaN层的m面蓝宝石基板、 主面是m面的在表面具有GaN层的a面蓝宝石基板、以及 主面是m面的在表面具有GaN层的m面SiC基板。9.如权利要求6或者7所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 所述双折射性基板是主面为m面的GaN基板。10.如权利要求1 9中任一项所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 从所述活性层的主面的法线方向看构成所述凹凸面的各个凹部或者凸部时的形状是圆形、四边形或者它们的组合, 构成所述凹凸面的凹部或者凸部分别二维地配置于所述半导体层叠结构的主面或者所述双折射性基板的背面的面内。11.如权利要求1 10中任一项所述的氮化物类半导体发光元件,其特征在于: 构成所述凹凸面的凹部或者凸部...
【专利技术属性】
技术研发人员:井上彰,藤金正树,横川俊哉,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:
国别省市:
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