【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管、发光二极管灯和照明装置，特别是涉及具有高速响应性和高输出性的发出红色光或红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。
技术介绍
发出红色光或红外光的发光二极管，用于通信、各种传感器、夜间照明、植物工厂用的光源等的用途在扩大。与之相应，对于发出红色光或红外光的发光二极管的要求，从主要重视高输出性、或者主要重视高速响应性，向重视这两者变化。特别是通信用的发光二极管，由于进行大容量的光空间传送，因此高速响应性和高输出性是必需的。作为发出红色光和红外光的发光二极管，已知:在GaAs基板上米用液相外延法生长包含AlGaAs活性层的化合物半导体层的发光二极管(例如专利文献I 4)。在专利文献4中公开了:使用液相外延法在GaAs基板上生长包含AlGaAs活性层的化合物半导体层，其后，除去作为生长基板使用的GaAs基板的、所谓的基板除去型的发光二极管。专利文献4中公开的发光二极管,在响应速度(上升时间)为40 55nsec时输出功率为4mW以下。另外，在响应速度为20nsec左右时输出功率为超过5mW少许的程度，作为使用液相外延法制作的发光二极管，被认...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.10 JP 2010-1794751.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O≤Xl≤I ; 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 与所述电流扩散层接合的功能性基板， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrVY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。2.—种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGa1I) As的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Alx3Gag3) Y2IrvY2P的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O ≤ Xl ≤ 1,0≤X3≤1,0≤Y2 ≤ 1 ； 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 与所述电流扩散层接合的功能性基板， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrvY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤ X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。3.根据权利要求1或者2的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与所述覆盖层的接合面积为20000 90000 μ m2。4.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为0.20彡Xl彡0.36，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为660 720nm。5.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为O彡Xl彡0.2，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。6.根据权利要求1至5的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板相对于发光波长是透明的。7.根据权利要求1至6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板由GaP、蓝宝石或SiC构成。8.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O彡Xl彡I ; 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 功能性基板，所述功能性基板包含与所述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与所述电流扩散层接合， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrvY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤ X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。9.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠...
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