电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法制造方法及图纸

一种电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法,其使用利用了电极丝的CVD法在腔室内在基板上进行膜的形成时,能够抑制在腔室内生成的固态物的堆积以及脱落。本发明专利技术的电极丝连接部件在电极丝配置于由外壁形成的腔室内的CVD装置中,以贯通外壁的方式进行安装,从而进行来自腔室外的电源的配线与电极丝的电连接,该电极丝连接部件包括用于安装电极丝的头部和贯通外壁而用于连接来自电源的配线的杆部,头部具有设于顶端部的电极丝安装部和以自顶端部朝向外壁侧逐渐扩展的方式形成的侧面,在自轴向投影观察时,头部的侧面的外形与电极丝连接部件的外形一致。外形与电极丝连接部件的外形一致。外形与电极丝连接部件的外形一致。

【技术实现步骤摘要】
电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)法是通过气相的化学反应,在基材表面形成膜的方法的一种。由于CVD法与生产规模相比较装置较小型,制膜速度较快,能够对生成的膜的组成以及厚度进行高精度控制,因此是适合大量生产的方法,正被广泛使用。
[0003]作为CVD法的方式,例如,可以举出热丝CVD法、热丝
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等离子体CVD法等使用了电极丝的CVD法。在使用了电极丝的CVD法中,使用将来自腔室外部的电源的配线与腔室内的电极丝连接的电极丝连接部件。
[0004]例如,在专利文献1中,公开了将来自阴极电源的配线和腔室内的阴极丝连接的电极丝连接部件。
[0005]图7是示出以往的电极丝连接部件的构成的剖视图。如图7所示,电极丝连接部件7具有圆筒状的头部71、在头部71的一端直径比头部71大的圆盘状的凸缘部72、以及自凸缘部72向与头部71相反侧延伸且直径比凸缘部72小的圆筒状的杆部73。
[0006]在CVD装置中,头部71处于腔室内,电极丝安装于头部71的一端。凸缘部72在安装于电极丝的状态下,作为用于抑制在腔室内生成的固态物附着于电极丝连接部件7的安装部的伞而设置。杆部73贯通腔室外壁,并且在腔室外部,来自电源的配线被连接于杆部73。
[0007]在专利文献2中,公开了贯通真空腔室壁而将阴极和电源连接的插口部。专利文献2的插口部为了防止在其表面附着的碳膜的剥离而通过金属喷镀等进行表面粗化。
[0008]<现有技术文献>
[0009]<专利文献>
[0010]专利文献1:国际公开第2016/024361号
[0011]专利文献2:日本国特开2000
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222724号公报

技术实现思路

[0012]<专利技术要解决的问题>
[0013]但是,在使用了电极丝的CVD法中,存在来源于原料气体的成分等在腔室内生成的固态物附着堆积于电极丝连接部件,并且在腔室内脱落的问题。在专利文献1或图7所示那样的以往的电极丝连接部件中,存在固态物堆积于在产生于头部71与凸缘部72之间的连结部分的凹陷部分74,从而成为较大的块而脱落的情况。
[0014]在专利文献2的插口部中,也存在改善在腔室内生成的固态物的堆积以及脱落的余地。
[0015]因此,本专利技术的目的在于,提供一种电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法,其在使用利用了电极丝的CVD法在腔室内在基板上进行膜的形成时,能够抑制在腔室内生成的固态物的堆积以及脱落。
[0016]<用于解决问题的方法>
[0017]为了达成上述目的的本专利技术的构成如下。
[0018][1]一种电极丝连接部件,其在电极丝配置于由外壁形成的腔室内的CVD装置中,以贯通上述外壁的方式进行安装,从而在来自上述腔室外的电源的配线和上述电极丝之间进行电连接,
[0019]该电极丝连接部件包括:
[0020]头部,其设于上述腔室内,用于安装上述电极丝；以及
[0021]杆部,其自上述头部贯通上述外壁,用于连接来自上述电源的上述配线,
[0022]上述头部具有:
[0023]电极丝安装部,其设于位于上述腔室的内侧的顶端部；以及
[0024]侧面,其以与上述杆部贯通上述外壁的轴向平行的方式或自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成,
[0025]在自上述轴向投影观察时,上述头部的上述侧面的外形与上述电极丝连接部件的外形一致。
[0026][2]在[1]中记载的电极丝连接部件中,上述侧面由连续面构成。
[0027][3]在[1]或[2]中记载的电极丝连接部件中,上述侧面以自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成。
[0028][4]在[1]～[3]中任一项记载的电极丝连接部件中,在使电极丝连接部件贯通设于上述外壁的安装孔而进行安装的状态下,在自上述轴向投影观察上述安装孔时,上述头部的外形位于上述安装孔的外侧。
[0029][5]一种CVD装置,其在由外壁形成的腔室内配置有电极丝,
[0030]该CVD装置包括电极丝连接部件,该电极丝连接部件以贯通上述外壁的方式进行安装,并且在来自上述腔室外的电源的配线和上述电极丝之间进行电连接,
[0031]上述电极丝连接部件包括:
[0032]头部,其设于上述腔室内,用于安装上述电极丝；以及
[0033]杆部,其自上述头部贯通上述外壁,用于连接来自上述电源的上述配线,
[0034]上述头部具有:
[0035]电极丝安装部,其设于位于上述腔室的内侧的顶端部；以及
[0036]侧面,其以与上述杆部贯通上述外壁的轴向平行的方式或自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成,
[0037]在自上述轴向投影观察时,上述头部的上述侧面的外形与上述电极丝连接部件的外形一致。
[0038][6]一种存储介质基板的制造方法,其通过在由外壁形成的腔室内配置有电极丝的CVD装置进行制膜处理,
[0039]上述CVD装置包括电极丝连接部件,该电极丝连接部件以贯通上述外壁的方式进行安装,并且在来自上述腔室外的电源的配线和上述电极丝之间进行电连接,
[0040]上述电极丝连接部件包括:
[0041]头部,其设于上述腔室内,用于安装上述电极丝；以及
[0042]杆部,其自上述头部贯通上述外壁,用于连接来自上述电源的上述配线,
[0043]上述头部具有:
[0044]电极丝安装部,其设于位于上述腔室的内侧的顶端部；以及
[0045]侧面,其以与上述杆部贯通上述外壁的轴向平行的方式或自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成,
[0046]在自上述轴向投影观察时,上述头部的上述侧面的外形与上述电极丝连接部件的外形一致。
[0047][7]在[6]中记载的存储介质基板的制造方法中,上述存储介质基板是磁存储介质。
[0048]<专利技术的效果>
[0049]根据本专利技术,能够提供一种电极丝连接部件、CVD装置以及存储介质基板的制造方法,其在使用利用了电极丝的CVD法在腔室内在基板上进行膜的形成时,能够抑制在腔室内生成的固态物的堆积以及脱落。
附图说明
[0050]图1是示出本专利技术的一个实施方式中的、CVD装置的一个例子的示意图。
[0051]图2是示出本专利技术的一个实施方式的丝插口部的一个例子的剖视图。
[0052]图3是自腔室内朝向轴向观察图2所示丝插口部的图。
[0053]图4是示出本专利技术的一个实施方式的丝插口部的变形例的剖视图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极丝连接部件,其在电极丝配置于由外壁形成的腔室内的CVD装置中,以贯通上述外壁的方式进行安装,从而在来自上述腔室外的电源的配线和上述电极丝之间进行电连接,该电极丝连接部件包括:头部,其设于上述腔室内,用于安装上述电极丝；以及杆部,其自上述头部贯通上述外壁,用于连接来自上述电源的上述配线,上述头部具有:电极丝安装部,其设于位于上述腔室的内侧的顶端部；以及侧面,其以与上述杆部贯通上述外壁的轴向平行的方式或自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成,在自上述轴向投影观察时,上述头部的上述侧面的外形与上述电极丝连接部件的外形一致。2.根据权利要求1所述的电极丝连接部件,其中,上述侧面由连续面构成。3.根据权利要求1或2所述的电极丝连接部件,其中,上述侧面以自上述顶端部朝向上述外壁侧逐渐扩展的方式形成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电极丝连接部件,其中,在使电极丝连接部件贯通设于上述外壁的安装孔而进行安装的状态下,在自上述轴向投影观察上述安装孔时,上述头部的外形位于上述安装孔的外侧。5.一种CVD装置,其在由外壁形成的腔室内配置有电极丝,该CVD装置包括电极丝连接部件,该电极丝连接部件以贯通上述外壁的方式进行安装,并且在来自上述腔室外的电源的配线和上述电极丝之间进行电连接,上...

【专利技术属性】
技术研发人员：田沼广光，中山真一，诺拉扎利，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：