一种带三角反射区的高压LED芯片制造技术

技术编号:11345518 阅读:78 留言:0更新日期:2015-04-24 01:43
本实用新型专利技术揭示了一种带三角反射区的高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成至少两个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过架设于隔离槽上的电桥连接,所述相邻的芯片岛之间还设置有反射岛,相邻芯片岛光能经过反射岛进行反射后射出。本实用新型专利技术突出效果为:藉由隔离槽中的反射岛将芯片侧面的出光发射至正面,避免光再次进入相邻芯片岛而损耗。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
一种带三角反射区的高压LED芯片
本技术涉及一种带三角反射区的高压LED芯片,属于照明设备

技术介绍
发光二极管作为一种半导体固态光源历经几十年的发展,在指示灯领域已经得到广泛的应用,同时,背光和照明领域也在近几年得到了很大的发展。目前,封装端都是以多颗发光二极管晶片通过金属导线实现串联或并联。这种连接方式费工时、成本高且可靠性不佳。 高压发光二极管芯片很好的解决了以上的不足。高压发光二极管指在芯片端通过金属薄膜将发光二极管芯片串联从而实现高电压。目前的制作方法是通过宽度15um+/-5um左右的隔离槽将单芯片进行电气隔离,再通过金属薄膜进行串联而实现。由于电子束蒸镀机要形成连续的金属薄膜对隔离槽的深宽比有要求,当隔离槽的深度为6um,宽度为1um时,电子束蒸发将不能稳定的形成连续金属薄膜,所以为了得到较高良率、且稳定的产品,普遍做法都是将隔离槽的宽度设计为1um以上,但较宽的隔离槽也意味着浪费了宝贵的发光面积。 为了增强发光效率,如专利申请201410031539.3中揭示的直接将隔离槽设置成弧形,具有一定的反射面,使得LED芯片射到隔离槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带三角反射区的高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,其特征在于:所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成至少两个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过架设于隔离槽上的电桥连接,所述相邻的芯片岛之间还设置有反射岛,相邻芯片岛光能经过反射岛进行反射后射出。

【技术特征摘要】
1.一种带三角反射区的高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,其特征在于:所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成至少两个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过架设于隔离槽上的电桥连接,所述相邻的芯片岛之间还设置有反射岛,相邻芯片岛光能经过反射岛进行反射后射出。2.根据权利要求1所述的一种带三角反射区的高压LED芯片,其特征在于:所述反射岛的截面呈三角,所述反射岛分别由第一半导体层、发光层、第二半导体层及透明导电层组成。3.根据权利要求2所述的一种带三角反射区的高压LED芯片,其特征在于:所述反射岛置于相邻芯片岛的隔离槽内,所述反射岛与两侧的芯片岛之间均设置有隔离槽。4.根据权利要求1所述的一种带三角反射区的高压LED芯片,...

【专利技术属性】
技术研发人员:翁启伟傅华张存磊王勇吴思王怀兵
申请(专利权)人:苏州新纳晶光电有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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