一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路。其包括：变速控制电路和逻辑控制电路，所述变速控制电路连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载，所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源，其输出端通过变速控制电路连接功率MOSFET。当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET的软启动功率输出特性，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET加速关闭麻醉机供电电源。本发明专利技术可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性，而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源，具有电路结构简单、功耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及麻醉机保护电路
，尤其涉及一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路。
技术介绍
在麻醉机供电电源电路设计上，不同电源的控制常采用如下方式：(1)继电器切换；(2)功率MOSFET控制；(3)PNP型功率三极管；(4)固态继电器。这些实现方式各有各自的优缺点：继电器切换：优点是通流量大、工作电压高、导通压降小，缺点是切换速度慢，存在致命的电容负载的触点粘连打火问题；功率MOSFET：优点是切换速度快、低功耗，缺点是在工作电压高的情况下导通电阻也会随之增大。PNP型功率三极管：优点是切换速度快，缺点是驱动电流要求高、驱动电平高、额外功耗大；固态继电器：相对来说很少采用，主要是体积大、成本高、且额外功耗大，一般用到高压大电流的地方。根据如上各类型的特点，继电器切换和功率MOSFET控制是最常用的方法。但在实际应用中，功率MOSFET控制针对容性负载存在致命的开启瞬态大电流冲击的隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，能够大大减小MOSFET导通瞬间的大电流对容性负载的冲击，能够避免因瞬态超功率导致MOSFET出现损坏问题，大大提高功率MOSFET及容性负载的可靠性。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，包括：变速控制电路和逻辑控制电路；所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载；所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET，用于控制功率MOSFET的导通和截止；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。其中，所述变速控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、稳压二极管D1、电容C1、及电阻R4，所述电阻R1的一端、电容C1的一端、及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R2的一端、稳压二极管D1的负极，所述三极管Q2的基极分别连接电阻R2的另一端、电阻R3的一端，所述稳压二极管D1的正极分别连接电容C1的另一端、电阻R4的一端、三极管Q2的集电极、及所述功率MOSFET的栅极，所述功率MOSFET的漏极连接所述容性负载，所述电阻R3的另一端连接所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R4的另一端接地。其中，所述逻辑控制电路包括：电阻R5、电阻R6、三极管Q3，所述电阻R5的一端为所述逻辑控制电路的输入端用于连接外界的使能信号源，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6的一端、及三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极为所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R6的另一端连接三极管Q3的发射极且接地。其中，所述功率MOSFET为PMOS晶体管，所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q3为NPN型三极管。有益效果：本专利技术所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时，麻醉机供电电源接通，通过变速控制电路控制功率MOSFET的功率输出，实现软启动输出特性，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时，通过变速控制电路控制功率MOSFET实现加速关闭麻醉机供电电源。综上所述，本专利技术所述的保护电路不仅可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性，而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源，具有电路结构简单、功耗低的优点。附图说明图1是本专利技术具体实施方式提供的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路的结构示意图。图2是本专利技术具体实施方式提供的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路的电路图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。图1是本专利技术具体实施方式提供的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路的结构示意图。如图1所示，本专利技术所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，包括：变速控制电路和逻辑控制电路；所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载；所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET，用于控制功率MOSFET的导通和截止；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。本专利技术所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时，麻醉机供电电源接通，通过变速控制电路控制功率MOSFET的功率输出，实现软启动输出特性，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时，通过变速控制电路控制功率MOSFET实现加速关闭麻醉机供电电源。综上所述，本专利技术所述的保护电路不仅可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性，而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源，具有电路结构简单、功耗低的优点。需要说明的是，在图1中，VCC为连接麻醉机供电电源的端口，EN为连接外界的使能信号源的端口，OUT为连接容性负载的端口。如图2所示，所述变速控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、稳压二极管D1、电容C1、及电阻R4，所述电阻R1的一端、电容C1的一端、及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R2的一端、稳压二极管D1的负极，所述三极管Q2的基极分别连接电阻R2的另一端、电阻R3的一端，所述稳压二极管D1的正极分别连接电容C1的另一端、电阻R4的一端、三极管<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，包括：变速控制电路和逻辑控制电路；所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载；所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET，用于控制功率MOSFET的导通和截止；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。

【技术特征摘要】
1.一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，包括：变
速控制电路和逻辑控制电路；
所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连
接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载；
所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所
述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET，用于控制功
率MOSFET的导通和截止；
当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于
控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET
截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。
2.根据权利要求1所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，
其特征在于，所述变速控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、
稳压二极管D1、电容C1、及电阻R4，所述电阻R1的一端、电容C1的一端、
及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所
述电阻R1的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂培军，
申请(专利权)人：北京谊安医疗系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11