一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路，包括充电电路、放电电路、变压器T和MOSFET管Q，所述的充电电路由隔直电容C、稳压二极管D和限流电阻Rs组成；所述的放电电路由放电电阻Rd组成；所述的变压器T的原边同名端连接电源正极V+，原边非同名端连接MOSFET的漏极；所述的MOSFET的源极接电源负极V-。微处理器PWM信号的输出点经隔直电容C与MOSFET的栅极相连。该电路结构简单、成本低廉，并在微处理器出现故障时，可以自动关断MOSFET，防止变压器初级绕组长时间开通，避免初级绕组电流过大引起器件损害。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子驱动应用
，尤其涉及一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路。
技术介绍
传统的小功率脉冲变压器的MOSFET驱动电路，缺少变压器初级绕组保护电路，当微处理器出现故障时，输出的PWM信号持续为高电平，脉冲变压器初级绕组将长时间开通，导致初级绕组电流过大，造成电路元件损害等严重问题。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的缺陷和不足，本技术的目的在于，提供一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路，本技术不仅可以满足脉冲变压器高频工作，同时还可以保护电路原件，防止因故障引起的初级绕组电流过大的情况。为了实现上述任务，本技术采用如下的技术解决方案:一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路，包括充电电路、放电电路、变压器T和MOSFET管Q，所述的充电电路由隔直电容C、稳压二极管D和限流电阻Rs组成；所述的放电电路由放电电阻Rd组成；所述的变压器T的原边同名端连接电源正极V+，原边非同名端连接MOSFET的漏极；所述的MOSFET的源极接电源负极V-。微处理器PWM信号的输出点经过隔直电容C与MOSFET的栅极相连。本技术的有益效果是:微处理器输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路，其特征在于，包括变压器T、MOSFET管Q、充电电路、放电电路，所述MOSFET管Q?的源极接电源负极V?；所述变压器T的原边同名端接电源正极V+，原边非同名端接MOSFET的漏极。

【技术特征摘要】
1.一种小功率脉冲变压器的MOSFET驱动及保护电路，其特征在于，包括变压器T、MOSFET管Q、充电电路、放电电路，所述MOSFET管Q的源极接电源负极V-;所述变压器T的原边同名端接电源正极V+，原边非同名端接MOSFET的漏极。2.如权力要求I所述的MOSFET驱动及保护电路，其特征在于，所述的充电电路包括隔直电容C、稳压二极管D和限流电阻Rs，所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨猛，杨文道，王晓莹，潘春，薛涛，
申请(专利权)人：薛涛，杨猛，潘春，
类型：实用新型
国别省市：