半导体模块制造技术

本发明专利技术的半导体模块100具备：第一构件(10)；第二构件(20)；第一构件(10)和第二构件(20)之间朝上下方向延伸的导体柱(31)；包封第一构件(10)的第一导体层(12)以及第一功率器件(13)，第二构件(20)的第二导体层(22)和第二功率器件(23)以及导体柱(31)的封装树脂(80)。第一功率器件(13)和第二功率器件(23)在水平面错开位置安装；连接第一功率器件(13)的第一连接部(46)的上下方向没有安装第二导体层(22)；连接第二功率器件(23)的第二构件(20)的第二连接部(56)的上下方向没有安装第一导体层(12)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体模块(module)。
技术介绍
已知一种采用层叠器件结构的半导体模块。作为所述传统半导体模块的一个例子，可以举例国际公开公报2014-132397。在所述国际公开公报2014-132397中，公开了以下特征：为了防止半导体模块的发热，采用一般高发热量的开关元件与一般低发热量的整流元件相互对向安装的结构。对于所述结构，近年来，人们尝试层叠高发热量器件的结构。层叠所述高发热量器件313，323时，如图8所示，单纯层叠所述313，323时，两个高发热量的313，323的热量重合在一起，整个半导体模块就发热了。另外，如图8所示，连接导体层312，322和器件313，323的连接部346，356对向安装的话，整个半导体模块的厚度就增加了。并且，所述半导体模块厚度增加的话，封装树脂380的量就增加，热量积蓄在里面，不容易散发。所述问题是采用层叠高发热量器件结构的一个重大问题。
技术实现思路
考虑到所述问题，本专利技术提供一种在实现高散热性的同时，能够缩短上下方向(厚度方向)的半导体模块。本专利技术涉及的的半导体模块，其特征在于，包括：第一构件，所述第一构件具备：第一绝缘性基板，所述第一绝缘性基板的安装面设置的第一导体层，所述第一导体层设置的第一功率器件，连接所述第一功率器件的第一连接部；第二构件，所述第二构件具备：第二绝缘性基板，所述第二绝缘性基板的安装面设置的第二导体层，所述第二导体层设置的第二功率器件，连接所述第二功率器件的第二连接部；导体柱，所述导体柱在所述第一构件和第二构件之间，朝上下方向延伸；以及封装树脂，所述封装树脂包封所述第一导体层，所述第一功率器件，所述第二导体层，所述第二功率器件以及所述导体柱，其中，在所述第一功率器件和所述第二功率器件对向安装的同时，由所述导体柱把所述两者连接起来，所述第一功率器件和所述第二功率器件在水平面错开位置安装，所述第一连接部的上下方向没有安装所述第二导体层，所述第二连接部的上下方向没有安装所述第一导体层。在本专利技术涉及的半导体模块中，所述第一功率器件具备：第一高发热面，与所述第一高发热面相反方向的，比所述第一高发热面发热量低的第一低发热面，所述第二功率器件具备：第二高发热面，与所述第二高发热面相反方向的，比所述第二高发热面发热量低的第二低发热面，所述第一高发热面和所述第二高发热面相互对向安装，同时，也可以由所述导体柱把所述两者连接起来。在本专利技术涉及的半导体模块中，所述第一功率器件和所述第二功率器件是开关器件，在所述导体柱的侧面，也可以安装连接一个源电极的柱连接部。在本专利技术涉及的半导体模块中，所述第一功率器件和所述第二功率器件是开关器件，所述第一连接部和所述第二连接部也可以连接控制电极。在本专利技术涉及的半导体模块中，从所述第一功率器件与所述第一连接部的连接部位来看，以及从所述第二功率器件与所述第二连接部的连接部位来看，所述第一连接部的延伸水平面方向和所述第二连接部的延伸水平面方向也可以相差135度～180度。在本专利技术涉及的半导体模块中，所述第一功率器件，相对于所述导体柱，在水平面上，也可以安装在偏向所述第一连接部的位置，所述第二功率器件，相对于所述导体柱，在水平面上，也可以安装在偏向所述第二连接部的位置。在本专利技术涉及的半导体模块中，还具备数个引线框，各个所述引线框从所述封装树脂的一个边向外引出，所述第一功率器件和所述第二功率器件也可以在与所述一个边平行方向错开。本专利技术涉及的电子机器也可以具备：所述任一半导体模块，散热板，所述散热板设有半导体模块插入用的凹部。本专利技术涉及的电子机器也可以具备：在所述散热板所述凹部与所述半导体模块之间，也可以涂有润滑剂。本专利技术涉及的电子机器也可以具备：闭锁部，所述闭锁部覆盖插入所述散热板的所述凹部的所述半导体模块。专利技术效果在本专利技术中，第一功率器件和第二功率器件在水平面错开位置安装，第一连接部的上下方向没有安装第二导体层，第二连接部的上下方向没有安装第一导体层，因此，能够缩短半导体模块的上下方向(厚度方向)，其结果，能够减少封装树脂的量。此外，由于第一功率器件和第二功率器件在水平面错开位置安装，因此，能够尽量防止第一功率器件和第二功率器件产生的热量相互重合。通过所述这些措施，即使高发热性的第一功率器件和第二功率器件对向安装，也能够防止热量在半导体模块中聚积。附图说明【图1】为本专利技术第1实施方式涉及的半导体模块的正面剖视图。【图2】为本专利技术第1实施方式采用的第一构件及导体柱的平面图。【图3】为本专利技术第1实施方式采用的第二构件及导体柱的平面图。【图4】为本专利技术第1实施方式介绍第一功率器件和第二功率器件在水平面错开位置安装，以及第一连接部和第二连接部之间关系的平面图。【图5】为本专利技术第1实施方式涉及的半导体模块封装树脂的正面剖视图。【图6】为本专利技术第1实施方式涉及的半导体模块回路图。【图7】为本专利技术第2实施方式涉及的电子机器侧面剖视图。【图8】为高发热量器件单纯层叠状态的半导体模块正面剖视图。【图9】为本专利技术变形例涉及的半导体模块背面剖视图。【图10】为本专利技术别的变形例涉及的半导体模块背面剖视图。【图11】为本专利技术变形例采用4个器件时的回路图。【图12】为本专利技术别的变形例涉及的半导体模块正面剖视图。具体实施方式第1实施方式[构成]下面，按照附图，介绍本专利技术涉及的半导体模块第1实施方式。如图1所示，本实施方式的半导体模块100具备：第一构件10，第二构件20，第一构件10和第二构件20之间朝上下方向延伸的导体柱31。在本实施方式，第一构件10的第一绝缘性基板11和第二构件20的第二绝缘性基板21平行安装。在本实施方式，第一绝缘性基板11和第二绝缘性基板21的延伸面(图1朝左右方向的延伸面)称为水平面；在所述水平面正交的方向(即图1的上下方向)称为上下方向。如图2所示，第一构件10具备：第一绝缘性基板11，第一绝缘性基板11的安装面设置的第一导体层12(12a～12c)，在第一导体层12的第一导体层部分12b(后述)安装的第一功率器件13，连接第一功率器件13的第一连接部46。在本实施方式，图2所示第一功率器件13上面左侧略中央部位，连接第一连接部46。如图3所示，第二构件20具备：第二绝缘性基板21，第二绝缘性基板21的安装面设置的第二导体层22(22b,22c)，在第二导体层22的第二导体层部分22b(后述)安装的第二功率器件23，连接第二功率器件23的第二连接部56。在本实施方式，图3所示第二功率器件23上面左侧略中央部位，连接第二连接部56。此外，在本实施方式，第二构件20反转后，与第一构件10重叠起来。这样，如图1所示，第一连接部46连接在第一功率器件13的上面左侧，第二连接部56连接在第二功率器件23的下面右侧。作为功率器件的一例，可以举出开关器件。更具体的功率器件的一例，可以举出MOSFET等的FET，双极晶体管，IGBT等，典型例子可以举出MOSFET。如图5所示，本实施方式的半导体模块100具备：包封第一导体层12，第一功率器件13，第二导体层22，第二功率器件23及导体柱31的封装树脂80。如图2所示，第一导体层12具备：第一绝缘性基板11的安装面设置的数个第一导体层部分12a～12c。如图3所示，第二导体层22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体模块，其特征在于，包括：第一构件，所述第一构件具备：第一绝缘性基板，所述第一绝缘性基板的安装面设置的第一导体层，所述第一导体层设置的第一功率器件，连接所述第一功率器件的第一连接部；第二构件，所述第二构件具备：第二绝缘性基板，所述第二绝缘性基板的安装面设置的第二导体层，所述第二导体层设置的第二功率器件，连接所述第二功率器件的第二连接部；导体柱，所述导体柱在所述第一构件和第二构件之间，朝上下方向延伸；以及封装树脂，所述封装树脂包封所述第一导体层，所述第一功率器件，所述第二导体层，所述第二功率器件以及所述导体柱，其中，在所述第一功率器件和所述第二功率器件对向安装的同时，由所述导体柱把所述两者连接起来，所述第一功率器件和所述第二功率器件在水平面错开位置安装，所述第一连接部的上下方向没有安装所述第二导体层，所述第二连接部的上下方向没有安装所述第一导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其特征在于，包括：第一构件，所述第一构件具备：第一绝缘性基板，所述第一绝缘性基板的安装面设置的第一导体层，所述第一导体层设置的第一功率器件，连接所述第一功率器件的第一连接部；第二构件，所述第二构件具备：第二绝缘性基板，所述第二绝缘性基板的安装面设置的第二导体层，所述第二导体层设置的第二功率器件，连接所述第二功率器件的第二连接部；导体柱，所述导体柱在所述第一构件和第二构件之间，朝上下方向延伸；以及封装树脂，所述封装树脂包封所述第一导体层，所述第一功率器件，所述第二导体层，所述第二功率器件以及所述导体柱，其中，在所述第一功率器件和所述第二功率器件对向安装的同时，由所述导体柱把所述两者连接起来，所述第一功率器件和所述第二功率器件在水平面错开位置安装，所述第一连接部的上下方向没有安装所述第二导体层，所述第二连接部的上下方向没有安装所述第一导体层。2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于：其中，所述第一功率器件具备：第一高发热面，与所述第一高发热面相反方向的，比所述第一高发热面发热量低的第一低发热面，所述第二功率器件具备：第二高发热面，与所述第二高发热面相反方向的，比所述第二高发热面发热量低的第二低发热面，所述第一高发热面和所述第二高发热面相互对向安装，同时，由所述导体柱把所述两者连接起来。3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于：其中，所述第一功率器件和所述第二功率器件是开关器件，在所述导体柱的...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田康亮，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP