【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种功率半导体模块，其具有第一壳体件和形成结构单元的直流电压负载连接设备，第一壳体件具有凹隙，直流电压负载连接设备具有第一和第二直流电压负载连接元件，第一直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第一穿通区段，第二直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第二穿通区段，在第一与第二穿通区段之间构造有间隙，第一和第二穿通区段利用弹性体来包裹，弹性体填充间隙，弹性体与第一和第二穿通区段材料锁合地连接，使得第一和第二穿通区段相对于第一壳体件密封。直流电压负载连接元件可靠地并且具有很高的温度变化耐受性地相对于功率半导体模块的壳体密封，直流电压负载连接元件之间的间距能够很小地实施。【专利说明】功率半导体模块
本技术涉及一种功率半导体模块。
技术介绍
在由现有技术公知的功率半导体模块中，普遍在基底上布置有功率半导体结构元件，例如功率半导体开关和二极管，并且借助基底的导体层以及焊线和/或薄膜复合结构彼此导电连接。在此，功率半导体开关普遍以晶体管的形式，例如IGBT(Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)或者 MOSFE...
【技术保护点】
一种功率半导体模块，其具有基底(19)和布置在所述基底(19)上的并且与所述基底(19)连接的功率半导体结构元件(22)，其中，所述功率半导体模块(14)具有第一壳体件(13)和形成结构单元的直流电压负载连接设备(1)，所述第一壳体件具有凹隙(15)，其中，所述直流电压负载连接设备(1)具有导电的第一直流电压负载连接元件(2)和导电的第二直流电压负载连接元件(5)，所述第一直流电压负载连接元件和所述第二直流电压负载连接元件分别与至少一个功率半导体结构元件(22)导电连接，其中，所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述第一壳体件(13)外部的第一外部连接区段(3)，而...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：英戈·博根，克里斯蒂安·约布尔，帕特里克·格拉施尔，约恩·格罗斯曼，克里斯蒂安·沃尔特，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE
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