【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种便于安装的功率半导体模块，它主要包括：直接覆铜基板、功率半导体芯片、外壳、功率端子组件、芯片包覆材料，所述直接覆铜基板的正面铜层通过化学蚀刻的方法，蚀刻有根据不同电路要求灵活组成不同电路的电路图形，所述功率半导体芯片通过其上焊接面经钎焊与直接覆铜基板正面铜层的蚀刻电路相连接；所述功率半导体芯片上表面的非焊接面和蚀刻电路之间使用铝或者铜的键合线进行连接；另在所述蚀刻电路上还通过钎焊连接有温度监控元件；本技术通过在外壳上设置有便于PCB安装的卡紧结构，使用顶柱加卡扣互相锁紧的形式将PCB电路板和功率半导体模块牢固结合，使本技术具有结构合理，使用安装方便，且便于安装等特点。【专利说明】一种便于安装的功率半导体模块
本技术涉及的是一种便于安装的功率半导体模块，属于半导体模块
。技术背景功率半导体模块的封装，是将一整个功率半导体电路集成在同一个封装内，保护半导体元器件免受外部环境条件的影响，在发生机械应力和外部震动的环境中具有足够的稳定性。所述的功率半导体模块可以是IGBT (绝缘栅双极性晶体管)、FWD (反并联续流二极管或者)MOSFE...
【技术保护点】
一种便于安装的功率半导体模块，它主要包括：直接覆铜基板、功率半导体芯片、外壳、功率端子组件、芯片包覆材料，其特征在于所述直接覆铜基板的正面铜层通过化学蚀刻的方法，蚀刻有根据不同电路要求灵活组成不同电路的电路图形，所述功率半导体芯片通过其上焊接面经钎焊与直接覆铜基板正面铜层的蚀刻电路相连接；所述功率半导体芯片上表面的非焊接面和蚀刻电路之间使用铝或者铜的键合线进行连接；另在所述蚀刻电路上还通过钎焊连接有温度监控元件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：封丹婷，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。