【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法。
技术介绍
功率半导体模块为其模块外部的电接触而需要连接端。在传统的半导体模块中,为此通常使用连接片,其具有脚区域,在该脚区域其与半导体模块的电路载体焊接,以及连接端区域,在连接端区域从模块壳体突出。由于这种连接片的热容量,通过脚区域的焊接来连接电路载体的强的热负载,这能够导致,电路载体和/或通过其预装入电路载体的电构件被损坏或毁坏。半导体模块的电连接端的另一个问题在于电感。当电的连接端例如用于为设置在半导体模块中的可控的半导体开关(例如IGBT、MOSFET等)引入控制信号、例如门极控制电压时,则由于电连接端的电感能够出现开关故障,这导致可控的半导体开关延迟地或者提早地接通或者关断。替代连接片通常使用单个连接引脚,其分别具有第一端,该第一端被设置在模块壳体的内部,以及第二端,该第二端从模块壳体中突出。第一端在模块壳体中与开关载体的金属化结构相连接,而第二端接通至模块外部的导体卡。为了使第二端与模块外部的导体卡相连接,通常将第二端压入导体卡的对应的连接开口中。在此,导体卡被压紧在从模块壳体突出的第二端上,这显然要求相应的高的力,该力通过连接引脚被传递至开关载体。该力导致开关载体的机械负载,通过其能够损坏开关载体。此外,第二端必须相对彼此以较高的精确度定位,使得其在将导体卡安装在半导体模块时对准接触开口。然而这< ...
【技术保护点】
功率半导体模块,其具有:模块壳体(6);电路载体(2),所述电路载体具有介电的绝缘载体(20)和上金属化层(21),所述上金属化层被施加在所述介电的绝缘载体(20)的上侧(20t)上;半导体构件(1),所述半导体构件被设置在所述电路载体(2)上;以及导电的连接块(5),所述连接块具有螺纹(50),所述螺纹从所述模块壳体(6)的外侧是可达到的;以及连接导体(4),所述连接导体具有第一分段(41),在所述第一分段处所述第一分段在第一连接位置处与所述连接块(5)固定且导电地相连接,以及第二分段(42),在所述第二分段处所述第二分段在第二连接位置处与所述电路载体(2)和/或与所述半导体构件(1)材料连接地且导电地相连接。
【技术特征摘要】
2014.10.30 DE 102014115847.41.功率半导体模块,其具有:
模块壳体(6);
电路载体(2),所述电路载体具有介电的绝缘载体(20)和上
金属化层(21),所述上金属化层被施加在所述介电的绝缘载体(20)
的上侧(20t)上;
半导体构件(1),所述半导体构件被设置在所述电路载体(2)
上;以及
导电的连接块(5),所述连接块具有螺纹(50),所述螺纹从
所述模块壳体(6)的外侧是可达到的;以及
连接导体(4),所述连接导体具有第一分段(41),在所述第
一分段处所述第一分段在第一连接位置处与所述连接块(5)固定且
导电地相连接,以及第二分段(42),在所述第二分段处所述第二分
段在第二连接位置处与所述电路载体(2)和/或与所述半导体构件(1)
材料连接地且导电地相连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述连接导
体(4)在所述第一连接位置处钎焊、焊接、激光焊接或者铆接至所
述连接块(5)。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其中,所述连
接导体(4)在所述第二连接位置处钎焊、烧结、焊接、超声波焊接
或者导电粘结至所述电路载体(2)或者所述半导体构件(1)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
所述连接导体(4)以分段方式注入或者插入所述模块壳体(6)或所
述模块壳体(6)的一部分之中,并且因此与所述模块壳体(6)或者
所述模块壳体(6)的所述一部分固定地连接。
5.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
所述绝缘载体(20)具有陶瓷或者由陶瓷组成。
6.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
\t所述螺纹为内螺纹或者外螺纹。
7.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
所述螺纹具有螺纹轴,所述螺纹轴垂直于所述上侧(20t)地延伸。
8.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
所述连接块(5)是一体成型的。
9.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其中,
所述连接块(5)由统一的材料或者同类的材料组合物组成。
10.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其具有:
导电的另外的连接块(5),所述另外的连接块具有另外的螺纹
(50),所述另外的螺纹从所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·赫恩,G·伯格霍夫,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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