半导体封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板、一第一半导体元件、一第二半导体元件以及一黏着层。第一半导体元件设置在基板上，第一半导体元件具有一侧面。第二半导体元件相邻于第一半导体元件设置在基板上，第二半导体元件具有相对于第一半导体元件的侧面的一侧面。黏着层设置在第一半导体元件和第二半导体元件之间，黏着第一半导体元件的侧面和第二半导体元件的侧面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种半导体元件之间间距小且稳定的。
技术介绍
在先进晶圆级封装(advanced Wafer Level Package, affLP)技术中，常常需要将晶片(die)等多个半导体元件接合至基板上。一般而言，例如是先进行第一个晶片的对位，并将其接合至基板上，再进行第二个晶片的对位和接合，此一步骤不断重复，直到完成所有晶片的接合，接着再进行烘烤(baking)步骤，以将晶片固定于基板上。然而，在这样的封装方法中，由于需要将晶片一个个的对位接合，因此无法提高黏晶机(die bonder)的稼动率。并且，因为是对每一个晶片分别进行对位和接合，受到黏晶机精度的影响，晶片之间的距离会有相当的变异性，且必须预留空间，以免造成晶片重迭，而导致无法将晶片之间的距离缩减到50微米以下。
技术实现思路
本专利技术提供半导体封装结构及半导体封装结构的制造方法，以进一步地缩小半导体封装结构中半导体元件之间距和改善其不稳定性，并可提高黏晶机的稼动率。根据本专利技术部分的实施例，提供一种半导体封装结构，包括一基板、一第一半导体元件、一第二半导体元件以及一黏着层。第一半导体元件设置在基板上，第一半导体元件具有一侧面。第二半导体元件相邻于第一半导体元件设置在基板上，第二半导体元件具有相对于第一半导体元件的侧面的一侧面。黏着层设置在第一半导体元件和第二半导体元件之间，黏着第一半导体元件的侧面和第二半导体元件的侧面。根据本专利技术另一部分的实施例，提供一种半导体封装结构的制造方法，包括黏着一第一半导体元件的一侧面和一第二半导体元件的一侧面，以及将彼此黏着的第一半导体元件和第二半导体元件一起配置在一基板上。为了让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下:附图说明图1 6分别是根据本专利技术不同实施例的半导体封装结构的示意图。图7A 7E是根据本专利技术一实施例的半导体封装结构的制造方法的示意图。图8A SE是根据本专利技术另一实施例的半导体封装结构的制造方法的示意图。符号说明:100、200、300、400、500、600:半导体封装结构102、202:基板104:第一半导体元件106、206:第二半导体元件108:黏着层110、112、212:侧面114:凹部116:工作台118:晶片接合膜120、122:吸嘴124、126:表面128:加热器130:切割器132:喷嘴134:黏胶d:间距具体实施例方式请参照图1，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构100的示意图。半导体封装结构100包括一基板102、一第一半导体元件104、一第二半导体元件106以及一黏着层108。在此实施例中，第一半导体元件104与第二半导体元件106为相同元件，举例来说，第一半导体元件104和第二半导体元件106可皆为晶片。第一半导体元件104设置在基板102上。第一半导体元件104具有一侧面110。第二半导体元件106以相邻于第一半导体元件104的方式设置在基板102上。第二半导体元件106具有一侧面112，且第二半导体元件106的侧面112相对于第一半导体元件104的侧面110。黏着层108设置在第一半导体元件104和第二半导体元件106之间，黏着第一半导体元件104的侧面110和第二半导体元件106的侧面112。举例来说，黏着层108为晶片接合膜(Die Attach Film, DAF)或黏胶(paste)层,用于黏着层108的黏胶例如包括环氧树脂(epoxy) ο此外，虽然图1中只绘示了二个半导体元件，半导体封装结构100也可包括多个半导体元件，彼此之间皆以黏着层108黏着和分隔。由于第一半导体元件104和第二半导体元件106之间是以黏着层108隔开，只要使用相同厚度的黏着层108，即可让半导体元件之间具有固定的间距，而提高间距的稳定度。并且，在此实施例中，黏着层108的厚度，亦即第一半导体元件104和第二半导体元件106之间的间距d，可小于20微米。请参照图2，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构200的示意图。半导体封装结构200与图1所示半导体封装结构100的差异在于，第二半导体元件206为与第一半导体元件104具有不同厚度的元件，举例来说，第一半导体元件104为晶片，而第二半导体元件206可为被动元件,例如是整合式被动元件(Integrated Passive Device, IPD)。在此实施例中，第一半导体元件104和第二半导体元件206是以底面对齐的方式，经由设置在第一半导体元件104的侧面110和第二半导体元件206的侧面212之间的黏着层108彼此黏着，而设置在基板102上。请参照图3，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构300的示意图。半导体封装结构300与图2所示半导体封装结构200的差异在于，在半导体封装结构300中，第一半导体元件104和第二半导体元件206是以顶面对齐的方式设置在基板202上。并且，基板202可具有一凹部114，以对应容纳第一半导体元件104和第二半导体元件206的其中一者。例如图3是绘示凹部114对应容纳第二半导体元件206的例子。在此实施例中，由于第一半导体元件104和第二半导体元件206的顶面齐平，因此与半导体封装结构200相比，较容易对于半导体封装结构300再加工。举例来说，如果于第一半导体元件104和第二半导体元件206上再形成介电层，则介电层的高度可以是固定的，输入/输出接点的形成因此较容易。请参照图4，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构400的示意图。半导体封装结构400与图1所示半导体封装结构100的差异在于，在半导体封装结构400中，第一半导体元件104和第二半导体元件106是以倒晶(flip-chip)的方式设置在基板102上。请参照图5，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构500的示意图。半导体封装结构500与图4所示半导体封装结构400的差异在于，第一半导体元件104和第二半导体元件206为具有不同厚度的元件。在此实施例中，第一半导体元件104和第二半导体元件206底面对齐，而以倒晶的方式设置在基板102上。请参照图6，其绘示根据本专利技术一实施例的半导体封装结构600的示意图。半导体封装结构600与图5所示半导体封装结构500的差异在于，在半导体封装结构600中，第一半导体元件104和第二半导体元件206顶面对齐，而以倒晶的方式设置在基板202上。并且，基板202可具有一凹部114，以对应容纳第一半导体元件104和第二半导体元件206的其中一者。例如图6是绘示凹部114对应容纳第二半导体元件206的例子。如图6所示，在此实施例中，由于第一半导体元件104和第二半导体元件206的顶面齐平，因此与半导体封装结构500相比，较容易对于半导体封装结构600再加工。举例来说，如果于第一半导体元件104和第二半导体元件206上再形成介电层，则介电层的高度可以是固定的，输入/输出接点的形成因此较容易。图7A 7E是根据本专利技术一实施例的半导体封装结构的制造方法的示意图。在此实施例中，黏着层例如是使用晶片接合膜。请参照图7A，在工作台116上，第一半导体元件104和第二半导体元件106分别设置于一晶片接合膜118的相对侧。分别以吸嘴120、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体元件，设置在所述基板上，所述第一半导体元件具有一侧面；一第二半导体元件，相邻于所述第一半导体元件设置在所述基板上，所述第二半导体元件具有相对于所述第一半导体元件的所述侧面的一侧面；以及一黏着层，设置在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间，黏着所述第一半导体元件的所述侧面和所述第二半导体元件的所述侧面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志成，赖逸少，施佑霖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：