用于PoP封装的基板块制造技术

提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条，并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板，并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】H.B.蔚、D.W.金、J.S.李、S.顾和R.拉多伊契奇相关申请本申请要求于2014年5月9日提交的美国专利申请序列号14/273,882的权益，该申请通过引用整体纳入于此。
本申请涉及集成电路封装，并且尤其涉及在提供改进的处置和组装的封装基板的制造中使用的基板块。背景对较小电子器件的持续需求迫使此类器件的制造商在器件内的任何可能之处增加组件密度并减小组件大小。为了合并和节约电路板的占用空间，半导体封装可以被垂直地堆叠以形成层叠封装(PoP)结构。PoP结构是通过将顶部封装堆叠在底部封装上来形成的。必须在顶部封装和底部封装之间作出电连接。例如，可以使用诸如焊球、铜柱、以及铜桩之类的互连。这通常意味着PoP结构需要附加的工艺或材料以形成从顶部至底部连接。提供这一连接的一种方式是通过使用基板条。基板条是与顶部和底部封装分开制造、并且在PoP叠层中将顶部和底部封装耦合的器件。图1是现有技术中的封装基板100的剖面视图。现有技术的封装基板100包括：包括多个金属层104的载体基板102。多个管芯106和基板条120被安装到载体基板102。基板条120包括由基板材料124围绕的经填充通孔122。经填充通孔122可被用于通过封装基板100向外部电路路由电信号。管芯106通过互连108(例如，凸块)电气且机械地连接到载体基板102。基板条120通过互连126(例如，凸块)电气且机械地连接到载体基板102。模塑复合物或包封物110沉积在管芯106和基板条120上。基板条120的横向边缘不被暴露。基板条120的侧面取而代之由模塑复合物110围绕。在封装基板100的制造期间，基板条120被放置在每个管芯106旁，并且随后模塑复合物110沉积在管芯106和条120上。因为通常基板条120又薄又长，所以条120易断且难以处置。另外，将基板条120放置在载体基板102上的准确位置中是困难的。相应地，本领域中存在对更结实且更容易处置和组装的基板条的需要。概述本公开的各种特征涉及基板块及其在封装基板的制造中的使用。该基板块比传统基板条更宽并且更易于处置和组装。封装基板可以被纳入到PoP结构中。在一个方面，本公开涉及一种包括载体和条的器件，该载体包括多个垂直互连，并且该条耦合至这些垂直互连。该条包括基板和穿过基板的多个经填充通孔。在第二方面，本公开涉及包括载体、以及耦合至该载体的条和管芯的封装基板。该条包括从一个条表面延伸至第二条表面的多个经填充通孔。该条还横向延伸至载体的横向边缘以便在至少一个侧面上暴露。在第三方面，本公开涉及一种方法，其包括在载体上安装管芯和基板块以及在该管芯和基板块上沉积模塑复合物。该基板块包括两个条并且至少一个条包括多个经填充通孔。该方法进一步包括将这两个条之间的基板块和载体切单以使得条的至少一个侧面暴露。在第四方面，本公开涉及包括载体、以及耦合至该载体的条和管芯的器件。该条包括用于提供一个条表面与第二相对条表面之间的电连接的装置。该条还横向延伸至载体的横向边缘以便在至少一个侧面上暴露。附图简述图1是根据现有技术的封装基板的横截面图。图2是根据本公开的一实施例的封装基板的横截面图。图3是根据本公开的一实施例的包括封装基板的PoP封装。图4A是根据本公开的一实施例的基板块的平面图。图4B是根据本公开的一实施例的基板块的横截面图。图5A和5C是根据本公开的一实施例的用于制造封装基板的工序的平面图。图5B、5D、5E和5F是根据本公开的一实施例的制造封装基板的工序的横截面图。图6是根据本公开的一实施例的用于封装基板的制造方法的流程图。图7解说了根据本公开的一实施例的纳入封装基板的一些示例电子系统。本公开的各实施例及其优势通过参考以下详细描述而被最好地理解。应当领会，在一个或多个附图中，相同的参考标记被用来标识相同的元件。附图不是按比例的。详细描述为了满足本领域中对更结实的基板条的需要，提供了更宽并且由此更易于处置以及放置在例如载体上的基板块。基板块包括基板和穿过基板的多个经填充通孔。在各种实施例中，基板包括硅、玻璃、或有机材料。基板块包括在封装基板的制造期间可被分开的两个条。在以下描述中，阐述了描述本公开的一些实施例的具体细节。然而，对于本领域技术人员而言将明显的是，一些实施例可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。本文中所公开的具体实施例旨在解说性而非限制性。尽管未在此处具体描述，但本领域技术人员可以认识到其他元素落在本公开的范围和精神内。解说专利技术性方面和实施例的说明书和附图不应被视为是限制性的——权利要求书定义了本公开。可以作出各种机械的、组成性的、结构性的、和操作性的变化而不脱离本说明书和权利要求书的精神和范围。在一些实例中，公知的结构和技术未被详细示出或描述以免湮没本公开。此外，本说明书的术语并非旨在限制本公开。例如，如附图中所解说的，空间相对术语(诸如“之下”、“下方”、“较低”、“上方”、“较高”、“顶部”、“底部”等)可以用于描述一个元素或特征与另一元素或特征的关系。这些空间相对术语旨在涵盖除了图中示出的位置和取向之外，使用或操作中的器件的不同位置(即，定位)和取向(即，旋转放置)。例如，如果附图中的器件被翻转，则描述为在其他元素或特征“以下”或“之下”的元素将随后在其他元素或特征“上方”或“之上”。由此，示例性术语“下方”可涵盖以上和以下的位置和取向两者。器件可以按其他方式来取向(旋转90度或在其他取向处)并且相应地解读本文中所使用的空间相对描述符。总览现在转到附图，图2示出包括载体基板202、管芯206、以及基板条或条220的示例封装基板200。在一些实施例中，载体基板202包括硅。在一些方面，载体基板202防止封装基板200的变形。载体基板202包括多个垂直互连204。垂直互连204可包括铝、铜、锡、镍、金、银、钛、钨、或其他合适的导电材料。垂直互连202在管芯206与主板、印刷电路板(PCB)或者将封装基板200置于与其他系统组件处于通信的其他基板之间路由信号。垂直互连204可以使用电镀敷、无电镀敷或用于形成垂直互连204的其他合适的金属沉积工艺来在载体基板202中形成。在一些实施例中，在载体基板202中形成穿透基板通孔(TSV)。TSV可通过激光钻孔、等离子体蚀刻、或湿法蚀刻来形成。TSV可延伸载体基板202的一部分或整个深度。一旦形成TSV，导电材料就通过使用蒸发、电镀敷、无电镀敷、或丝网印刷工艺来在TSV中沉积。导电材料可以是铝、铜、锡、镍、金、或银。如图所示，管芯206用倒装芯片式封装来安装并耦合到载体基板202上。管芯206可以包含根据管芯206的电气设计来形成的作为有源器件、无源器件、导电层、以及电介质层来实现的模拟或数字电路。例如，电路可包括一个或多个晶体管、二极管、电感器、电容器、电阻器、以及其他电路元件。管芯206通过互连208(例如，焊料凸块或铜柱)电气且机械地连接到载体基板202。互连208可以由一般的焊料材料制成。焊料材料可以是任何金属或导电材料，诸如锡、铅、金、银、铜、锌、铋、及其合金。基板条220也被安装在载体基板202上。基板条220包括被基板材料224围绕的经填充通孔222。在各种实施例中，基板材料224包括诸如硅、有机材料、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：包括多个垂直互连的载体；以及耦合至所述垂直互连的条，其中所述条包括基板以及穿过所述基板的多个经填充通孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.09 US 14/273,8821.一种器件，包括：包括多个垂直互连的载体；以及耦合至所述垂直互连的条，其中所述条包括基板以及穿过所述基板的多个经填充通孔。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板包括硅、有机材料、或玻璃。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括在所述基板的第一表面和第二表面上的接触焊盘。4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述条在至少一个侧面上被暴露。5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述条的横向侧面被暴露。6.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述条的垂直于所述多个经填充通孔的侧面被暴露。7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述经填充通孔包括铜。8.一种封装基板，包括：包括多个垂直互连的载体；耦合至所述垂直互连的条，所述条包括由基板材料围绕的多个经填充通孔，其中所述多个经填充通孔从一个条表面延伸至第二条表面；以及耦合至所述垂直互连并且紧邻所述条部署的管芯，其中所述条横向延伸至所述载体的横向边缘以便在至少一个侧面被暴露。9.如权利要求8所述的封装基板，其特征在于，所述载体包括硅。10.如权利要求8所述的封装基板，其特征在于，所述条具有大约800μm的宽度。11.如权利要求8所述的封装基板，其特征在于，所述基板材料包括硅、有机材料、或玻璃。12.如权利要求8所述的封装基板，其特征在于，进一步包括覆盖所述管芯并且部署在所述条与所述管芯之间的模塑复合物。13.如权利要求8所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板被包括在层叠封装(PoP)结构中。14.如权利要求13所述的PoP结构，其特征在于，进一步包括通过互连耦合至所述封装基板的第二封装基板。15.如权利要求13所述的PoP结构，其特征在于，所述多个经填充通孔以及垂直互连被配置成通过所述封装基板来路由信号。16.如权利要求13所述的PoP结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·B·蔚，D·W·金，J·S·李，S·顾，R·拉多伊契奇，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US