一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥制造技术

本实用新型专利技术提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片固定设于第四引线框架上，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本实用新型专利技术中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子器件领域，具体地说是一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥。
技术介绍
交流电网干扰、雷击和电力设备启停等因素产生的瞬态干扰是造成电子设备和线路损坏的重要原因，常造成巨大的损失。瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种二极管形式的高效能保护器件，其具有极快的响应速度和极高的浪涌吸收能力。当TVS二极管两端受到反向瞬态过压脉冲时，能在极短的时间内将高阻抗降低至很低的导通值，吸收瞬间大电流，并将电压箝制在预设的数值上，从而有效确保了后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击。现有的带SMD整流桥的电路中，TVS管一般添加于电源模块，用于保护整流桥和负载中的所有元器件，这样单独焊接TVS管极大占用了PCB板的空间，不利于PCB板小型化发展。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，本技术旨在提供一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，所述一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥结构紧凑，所占用的体积更小，有利于PCB板小型化发展。本技术为实现上述目的，通过以下技术方案实现：一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、一个双向TVS管芯片、第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架；所述四个二极管芯片技术指标相同；所述双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；所述第一二极管芯片和第二二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第三二极管芯片和第四二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第一引线框架与第三引线框架作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架分别作为正、负极引脚。作为限定：所述第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架处于同一平面内。第二种限定：所述第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上。第三种限定：所述第一引线框架与第三引线框架的载体全部封装于塑封体内，第二引线框架与第四引线框架载体的上半部封装于塑封体内、而载体下部分外露于塑封体。第四种限定：所述双向TVS管芯片和各个二极管芯片分别通过其底面设置的粘接料固定设于所在的引线框架上，所述粘接料为导电胶或软焊料。由于采用了上述的技术方案,本技术与现有技术相比，所取得的技术进步在于：（1）将TVS跟传统的整流桥集成在一起，能够在整流桥受到反向瞬态过压脉冲时，在极短的时间内将高阻抗降低至很低的导通值，吸收瞬间大电流，并将电压箝制在预设的数值上，从而有效确保了整流桥以及后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击，同时有助于提高电路的集成度，减小PCB板面积，降低成本；（2）引线框架均位于同一平面上，令整体整流桥结构的封装厚度更小，体积也更小，布局更加紧凑；（3）本专利技术的第二引线框架和第四引线框架的载体下半部分外露于塑封体，在安装时直接与PCB板接触，增强导热，且简化了安装流程；（4）本专利技术的同一引线框架上的两颗二极管芯片极性朝向一致，方便生产。综上所述，本专利技术结构紧凑、体积小，使用安装方便，能够有效确保了整流桥以及后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击，适用于任意PCB电路板，有利于PCB板小型化发展。下面将结合具体实施例对本技术作进一步详细说明。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为本技术的内部芯片电路连接示意图；图2为本技术实施例的俯视图；图3为本技术实施例的主视图；图4为本技术实施例的左视图；图5为本技术实施例的仰视图。标注部件：1-1、第一引线框,1-2、第二引线框,1-3、第三引线框,1-4、第四引线框,2-1、第一二极管芯片,2-2、第二二极管芯片，2-3、第三二极管芯片，2-4、第四二极管芯片，2-5、双向TVS管芯片，3、粘接料，4、导线，5、焊盘，6、塑封体。具体实施方式实施例一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥本实施例提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，如图1所示，是本技术的内部芯片电路连接示意图，如图2、图3、图4和图5所示，它包括塑封体6、第一二极管芯片2-1、第二二极管芯片2-2、第三二极管芯片2-3、第四二极管芯片2-4、一个双向TVS管芯片2-5、第一引线框架1-1、第二引线框架1-2、第三引线框架1-3和第四引线框架1-4，且所述四个引线框架处于同一平面内。四个二极管芯片是技术指标相同的GPP二极管芯片。双向TVS管芯片2-5固定设于第一引线框架1-1上，通过导线4连接第三引线框架1-3；第一二极管芯片2-1和第二二极管芯片2-2固定设于第二引线框架1-2上，顶面均为P型，分别通过导线4连接第一引线框架1-1和第三引线框架1-3；第三二极管芯片2-3和第四二极管芯片2-4固定设于第四引线框架1-4上，顶面均为N型，分别通过导线4连接第一引线框架1-1和第三引线框架1-3；第一引线框架1-1和第三引线框架1-3作为交流引脚，第二引线框架1-2作为正极引脚，第四引线框架1-4作为负极引脚。第一引线框架1-1和第三引线框架1-3固设于同一载体上，全部封装于塑封体6内，第二引线框架1-2与第四引线框架1-4固设于同一载体上，上半部封装于塑封体6内，而载体下部分外露于塑封体6。双向TVS管芯片2-5和各个二极管芯片分别通过其底面设置的粘接料3固定设于相应的引线框架上，所述粘接料3为导电胶或软焊料；所有二极管芯片和双向TVS管芯片2-5分别与所在的引线框架电连接。本实施例中，导线4采用铜线，铜线一端连接芯片上的焊盘5，另一端连接芯片所对应连接的引线框架上的焊盘5；塑封体6采用环氧树脂构成的具有空腔的壳体。可以按照下面的工艺步骤，制作上述一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥：1）对整片硅片进行好坏的测试，并将检测出的坏片进行标记；本步骤中对坏片进行标记时可以用磁性墨水对坏片进行标记，也可以利用计算机建立一张芯片位置和测试结构的计算机图形，利用计算机将坏的芯片在计算机图形的坐标上进行标记；2）将硅片底面贴于蓝膜上，划成一个个小块，并将正面标记的坏芯片挑出；如果步骤1）中采用的是直接对坏片用磁性墨水进行标记，则本步骤中划片时将硅片完全划穿；而如果步骤1）中利用计算机对芯片进行的标记，则本步骤中采用划片深度四分之一到三分之一的划片工艺，这样不完全划穿可以提高翻膜时的可靠性；3）将步骤2）中好的芯片的顶面贴上蓝膜，并将芯片上下颠倒，去掉之前底面上的蓝膜；如果步骤1）中利用计算机对芯片进行的标记，那么本步骤中需要将坏的芯片利用磁性墨水打点标记，然后裂片，并用机器取出坏的芯片，得到顶面能够焊接的、且好的GPP二极管芯片；4）利用机器抓取步骤3）中的芯片，并直接将芯片的底面焊接到底座上；本步骤中需要顶针从蓝膜下面将好的芯片往上顶，同时机器的真空吸嘴将芯片往上吸，抓取步骤3）顶面焊接的二极管芯片，然后将芯片的顶面焊接在引线框架的底座上；5）引线键合用铜线将引线框架的引脚和芯片的焊盘连接起来；6）用环氧树脂将二极管芯片及用于承载芯片的引线框架一起塑封起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，其特征在于：它包括塑封体、第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、一个双向TVS管芯片、第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架；所述四个二极管芯片技术指标相同；所述双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；所述第一二极管芯片和第二二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第三二极管芯片和第四二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第一引线框架与第三引线框架作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架分别作为正、负极引脚。

【技术特征摘要】
1.一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，其特征在于：它包括塑封体、第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、一个双向TVS管芯片、第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架；所述四个二极管芯片技术指标相同；所述双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；所述第一二极管芯片和第二二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第三二极管芯片和第四二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架和第三引线框架；所述第一引线框架与第三引线框架作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架分别作为正、负极引脚。2.如权利要求1所述的一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，其特征在于：所述第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架处于同一平面内。3.根据权利要求1或2所述的一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，其特征在于：所述第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，所述第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上。4.根据权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健儿，徐开凯，李朝晖，冯春阳，冯艾诚，赵建明，刘宁，蔡勇，刘继芝，廖智，曾尚文，范世杰，
申请(专利权)人：四川上特科技有限公司，四川绿然电子科技有限公司，电子科技大学，
类型：新型
国别省市：四川;51