【技术实现步骤摘要】
一种晶圆沟槽腐蚀装置
[0001]本专利技术涉及半导体器件生产
,尤其与一种晶圆沟槽腐蚀装置相关。
技术介绍
[0002]将晶圆进行扩散、氧化、光刻、腐蚀、蚀刻、清洗、电泳、二次光刻、镀镍等工艺后,即可在晶圆片的表面形成多个晶粒,将晶圆经过裂片之后,每个晶粒就是一个芯片,而蚀刻工艺就是使晶圆能够形成单个晶粒的关键步骤,蚀刻工艺可以在晶圆的表面形成纵横布置的沟槽。在晶圆腐蚀结束后,需要将其从腐蚀池中取出并清洗,但是在将晶圆取出时,会携带大量的蚀刻液,会造成蚀刻液的浪费,并且在将晶圆放置于清洗池中时,会将大量的蚀刻液也携带到清洗池中,不利于对晶圆的清洗,并且在清洗结束后也会产生更多的废液,对废液的处理成本会上升,还会造成对环境的污染,而且由于蚀刻工艺中所使用的蚀刻液不仅具有腐蚀性还具有挥发性,工作人员在将晶圆从腐蚀池取出时不可避免地会与蚀刻液接触,从而使工作人员的健康受到损伤。
技术实现思路
[0003]针对上述相关现有技术的不足,本申请提供一种晶圆沟槽腐蚀装置,将从腐蚀池取出的晶圆通过吹气的方式将携带的蚀刻液收集回腐蚀池,减少浪费,并且在清洗之前减少蚀刻液的残留,减少废液的产生,具有较强的实用性。
[0004]为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术:一种晶圆沟槽腐蚀装置,包括:工作台、转移机构、晶圆架、吹气机构。
[0005]工作台设于两个传送带之间,且工作台沿其长度方向依次设有腐蚀池、收集池和清洗池;转移机构包括沿工作台长度方向移动的横杆,横杆上设有两个对称布置且相向移动的夹持 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆沟槽腐蚀装置,其特征在于,包括:工作台(100),设于两个传送带之间,且所述工作台(100)沿其长度方向依次设有腐蚀池(101)、收集池(102)和清洗池(103);转移机构(200),包括沿所述工作台(100)长度方向移动的横杆(201),所述横杆(201)上设有两个对称布置且相向移动的夹持模块,所述夹持模块包括两个分别设于所述横杆(201)两侧且对称布置的夹杆(202),且所述夹杆(202)沿竖直和所述横杆(201)的宽度方向移动设置,用于夹持晶圆架(300);所述晶圆架(300)有多个,应用时,分别分布于所述腐蚀池(101)、所述收集池(102)和所述清洗池(103)内,所述晶圆架(300)上设有可拆卸的承载框(301),用于承载晶圆;吹气机构(400),设于所述收集池(102)内,包括沿所述工作台(100)宽度方向布置并穿设于所述收集池(102)中的传动轴(401),所述传动轴(401)上设有两个对称布置的转杆(402),所述转杆(402)呈L形,且所述转杆(402)平行于所述工作台(100)宽度方向的部分设有多个吹气口(403),用于向所述晶圆架(300)吹气。2.根据权利要求1所述的晶圆沟槽腐蚀装置,其特征在于,所述收集池(102)中设有两个对称布置且相向移动的支撑杆(104),所述支撑杆(104)沿所述工作台(100)的宽度方向布置,所述支撑杆(104)表面沿其长度方向设有承载槽(105),用于承载晶圆架(300),所述承载槽(105)两侧还设有贯穿至所述支撑杆(104)外侧的长条孔(106),且所述承载槽(105)的底面呈向上突起的弧形,用于流下蚀刻液,所述支撑杆(104)底面还套设于导向杆(107)上,所述导向杆(107)安装于所述收集池(102)内。3.根据权利要求1所述的晶圆沟槽腐蚀装置,其特征在于,所述横杆(201)上设有双头伸缩杆(203),所述双头伸缩杆(203)的移动端设有支撑板(204),所述支撑板(204)上设有竖直布置的第一伸缩杆(205),所述第一伸缩杆(205)的移动端连接有升降板(206),所述升降板(206)上沿其长度方向设有两个对称布置的第一限位孔(207),所述夹杆(202)一端设有竖杆(208),所述竖杆(208)配合于所述第一限位孔(207)中,并沿其长度方向移动。4.根据权利要求3所述的晶圆沟槽腐蚀装置,其特征在于,所述支撑板(204)沿其长度方向设有两个对称布置的第二限位孔(209),所述第二限位孔(209)在竖直方向上的投影与所述第一限位孔(207)重合,所述第二限位孔(209)中配合有移动块(210),所述竖杆(208)上端穿过所述移动块(210),所述移动块(210)一侧设有连接环(211),所述支撑板(204)侧面设有第一滑杆(212),所述连接环(211)套设于第一滑杆(212)上,所述第一滑杆(212)的两端均设有挡环(213),所述第一滑杆(212)上还套设有第一弹簧(214),所述第一弹簧(214)两端分别连接所述挡环(213)和所述连接环(211),且始终处于拉伸状态。5.根据权利要求4所述的晶圆沟槽腐蚀装置,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯永,胡仲波,王一超,蒋红全,周建余,
申请(专利权)人:四川上特科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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