一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置，属于制造半导体器件的设备技术领域，覆硼夹具，包括：转盘及定位组件。定位组件沿转盘的圆周阵列设有至少三组，包括沿转盘法线方向滑动设置的滑块，滑块的顶面的前端设有圆弧结构的侧压板，侧压板的内壁半径与晶圆的外径相同，侧压板的内壁设有排液口，覆硼时，侧压板的内壁与晶圆外侧壁贴合，且排液口的底面位于晶圆底面的上方；定位组件还包括摆杆，其中段铰接于转盘，摆杆的上段活动设于滑块的后端，摆杆的下端设有摆锤。覆硼装置，包括上述的覆硼夹具，转盘转动设于一壳体内，壳体的底部设有电机，用于驱动转盘旋转。本方案能有效防止硼液反渗至晶圆的底面。反渗至晶圆的底面。反渗至晶圆的底面。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置


[0001]本专利技术属于制造半导体器件的设备
，尤其涉及一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置。

技术介绍

[0002]常见的晶圆的扩散工艺是指将杂质源涂覆在晶圆的表面（本专利技术以硼源为例），然后通过高温使硼原子扩散入半导体硅层形成P型。现有的覆硼装置主要采用以下两种方式进行覆硼，其一是利用毛刷蘸取硼源后在旋转的晶圆上进行涂覆，而此种方式涂覆的硼液厚度不一，且容易使晶圆表面粘上有害杂质；另一种则是将硼液滴在晶圆的中心，然后利用晶圆旋转时的离心力使硼液覆盖在晶圆的表面。而在制作单层PN结构的晶圆时，扩散工艺中仅需要在晶圆的正面涂覆硼液，如果硼液反渗至晶圆的底面则会在晶圆边沿部位形成PNP结构，导致最终产品的反向击穿电压降低，而正向降压增大，造成最终的产品质量不合格。现有的覆硼装置在采用上述两种涂覆方式时均无法避免硼液从晶圆的边沿反渗至晶圆的底面，从而导致晶圆边沿部位的芯片报废。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术不足，本专利技术提供一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置，能有效防止硼液反渗至晶圆的底面。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆覆硼夹具，其特征在于，包括：转盘（1）顶面用于放置晶圆（9）；定位组件，沿转盘（1）的圆周阵列设有至少三组，包括沿转盘（1）法线方向滑动设置的滑块（2），滑块（2）的顶面前端设有圆弧结构的侧压板（3），侧压板（3）的高度大于晶圆（9）的厚度，侧压板（3）的内壁半径与晶圆（9）的外径相同，侧压板（3）的内壁设有排液口（31），覆硼时，侧压板（3）的内壁与晶圆（9）外侧壁贴合，且排液口（31）的底面位于晶圆（9）底面的上方，且相邻定位组件的侧压板（3）的端部贴合；定位组件还包括摆杆（4），其中段铰接于转盘（1），摆杆（4）的上段活动设于滑块（2）的后端，摆杆（4）的下端设有摆锤（41）。2.根据权利要求1所述的一种晶圆覆硼夹具，其特征在于，转盘（1）的顶面沿圆周开设有集液槽（11），测压板（3）的底部具有与排液口（31）连通的出液口（32），覆硼时，出液口（32）与集液槽（11）对齐。3.根据权利要求2所述的一种晶圆覆硼夹具，其特征在于，出液口（32）及集液槽（11）的上端与转盘（1）轴线之间的间距均小于各自下端与转盘（1）轴线之间的间距。4.根据权利要求2所述的一种晶圆覆硼夹具，其特征在于，排液口（31）、出液口（32）及集液槽（11）均呈弧形条状结构。5.根据权利要求1所述的一种晶圆覆硼夹具，其特征在于，侧压板（3）沿圆弧轨迹开设有弧形槽（33），排液口（31）与弧形槽（33）连通，覆硼时，晶圆的表面位于弧形槽（33）的高度范围内。6.根据权利要求1所述的一种晶圆覆硼夹具，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡仲波，冯永，李健儿，蒋红全，周建余，敬春云，
申请(专利权)人：四川上特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：