一种晶圆背面清洗装置的设计方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆背面清洗装置的设计方法，包括：提供一个载台并在载台的顶部设置承载组件，所述承载组件包括多个同心承载平台，用于承载不同尺寸的晶圆；提供一个密封组件，用于将晶圆的正面吸附在承载平台上；提供一个吸附组件，用于吸附晶圆背面；提供一个滑动组件，用于驱动所述吸附组件沿承载组件的中心径向移动；提供一个高度调整机构，用于调整所述吸附组件的高度。本发明专利技术设计的装置可通过密封组件自动固定晶圆，无需手动夹持，不会造成晶圆污染、划伤、掉落和破裂，可有效清洗晶圆背面全部区域，并可同时兼容多种尺寸晶圆。并可同时兼容多种尺寸晶圆。并可同时兼容多种尺寸晶圆。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆背面清洗装置的设计方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种晶圆背面清洗装置的设计方法。

技术介绍

[0002]集成电路制造过程中，晶圆在进入每步制程前表面须保持洁净，有时涉及到晶圆背面的清洁，包括去除晶圆背面的残胶、颗粒、有机物等异物。晶圆在显影或去胶后，晶圆背面易有残胶或其他颗粒异物，需对其进行清洁，现清洁方式多为手持晶圆擦拭清洁，清洁困难且易造成晶圆污染、划伤、掉落或破裂。目前集成电路制造业中，主流晶圆尺寸为4英寸、6英寸、8英寸、12英寸，在6英寸砷化镓、氮化镓集成电路制造工艺中，需要键合蓝宝石，晶圆尺寸变大，或因产业升级需兼容制造8英寸或者其它尺寸晶圆，晶圆清洁更加困难，更不便于手持操作，且同样存在上述风险，或需要更换其他尺寸的清洗平台或装置。
[0003]因此，需设计一款可用于晶圆背面清洗的装置，便于对晶圆背面清洁，且不会造成晶圆污染、划伤、掉落和破裂，并可同时兼容多种尺寸晶圆。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术中晶圆背面清洁困难且易造成晶圆污染、划伤、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面清洗装置的设计方法，其特征在于，所述方法包括：提供一个载台并在所述载台的顶部设置承载组件，所述承载组件包括多个同心承载平台，用于承载不同尺寸的晶圆；提供一个密封组件，所述密封组件用于将晶圆的正面吸附在所述承载平台上；提供一个吸附组件，所述吸附组件用于吸附晶圆背面；提供一个滑动组件，所述滑动组件用于驱动所述吸附组件沿所述承载组件的中心径向移动；提供一个高度调整机构，所述高度调整机构用于调整所述吸附组件的高度。2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面清洗装置的设计方法，其特征在于，将所述承载组件设计为阶梯状，其中心设为凹面平台，在凹面平台的边缘处连接有多个呈阶梯状组合的所述承载平台。3.根据权利要求2所述的一种晶圆背面清洗装置的设计方法，其特征在于，在所述承载组件的台阶连接处设有用于排液的凹槽与排液口。4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面清洗装置的设计方法，其特征在于，所述密封组件包括环形真空吸附孔与密封圈，所述密封圈安装在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程盼盼，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：