【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理晶片状物件的装置
[0001]本专利技术涉及用于处理晶片状物件的装置,且还涉及在这种装置中使用的喷嘴组件。
技术介绍
[0002]半导体晶片可能会经受诸多表面处理工艺,例如蚀刻、清洁、抛光和材料沉积。
[0003]这些表面处理工艺中的至少一些涉及将液体施加到晶片的表面。例如,可以通过将例如氢氟酸之类的处理液体施加到晶片表面上的选定位置来蚀刻晶片表面。替代地,可以通过向晶片的表面施加例如异丙醇或去离子水之类的清洁液或冲洗液来清洁晶片的表面。
[0004]当将液体施加到晶片表面时,可以例如使用保持晶片的可旋转卡盘旋转晶片,以帮助液体在晶片表面上的分配。在液体是清洁液或冲洗液的情况下,这种工艺可以称为旋转清洁工艺。
[0005]此外,随后可以通过加热晶片以使晶片表面上的液体蒸发来干燥晶片的表面。
[0006]在US 2017/0345681A1中描述了可用于半导体晶片的液体处理的装置的示例,其内容通过引用并入本文。
[0007]在US9,799,539B2中描述了可用于半导体晶片的液 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理晶片状物件的装置,所述装置包含:支撑件,其用于支撑所述晶片状物件;以及液体分配器,其用于将处理液体分配至由所述支撑件所支撑的所述晶片状物件的表面上;其中所述液体分配器包含喷嘴组件,所述喷嘴组件包含:入口部;分配喷嘴;以及静态节流阀,其在所述入口部和所述分配喷嘴之间,所述静态节流阀包含多个流动通道,所述处理液体能通过所述流动通道从所述入口部流到所述分配喷嘴。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个流动通道包含多个钻孔。3.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述分配喷嘴的内表面的至少一部分具有亲水性。4.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述分配喷嘴的内表面的至少一部分包含具有小于或等于90
°
、或小于或等于80
°
、或小于或等于45
°
的静态水接触角的材料。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述分配喷嘴的内表面的至少一部分包含PCTFE或PFA。6.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述分配喷嘴的长度为所述分配喷嘴的内径的至少四倍、或所述分配喷嘴的内径的至少五倍、或所述分配喷嘴的内径的至少六倍、或所述分配喷嘴的内径的至少七倍。7.根据前述权利要求中任一项所述...
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