半导体加工方法技术

技术编号:14739686 阅读:118 留言:0更新日期:2017-03-01 13:28
提供了一种半导体加工方法。该方法包括提供第一载体(10)。在第一载体(10)上提供第一粘合剂(18),在第一粘合剂(18)上放置多个半导体芯片(20)。提供第二载体(28)。所述第二载体(28)具有多个芯片接收区域(32)。将第一载体(10)和第二载体(28)结合在一起以将半导体芯片(20)附接至第二载体(28)上各自的芯片接收区域(32)。然后从所述半导体芯片(20)分离所述第一载体(10)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,更具体地,涉及半导体加工方法
技术介绍
可制造性是半导体封装中重要的考虑因素,因为其直接影响封装成本。因此,为了降低包装成本,期望具有一种便于半导体封装处理的基质。
技术实现思路
因而,在第一方面,本专利技术提供了一种半导体加工方法。所述半导体加工方法包括:提供第一载体;在所述第一载体上第一粘合剂;在所述第一粘合剂上放置多个半导体芯片;提供第二载体,其中所述第二载体具有多个芯片接收区域;将所述第一载体和第二载体结合在一起以将所述半导体芯片附接至所述第二载体上各自的所述芯片接收区域;以及从所述半导体芯片分离所述第一载体。结合附图,本专利技术的其他方面和优点将从通过示例说明本专利技术原理的以下的详细描述中显而易见。附图说明当结合附图阅读时,将更好地理解本专利技术优选实施例的以下详细描述。本专利技术通过示例进行说明,并不受附图限制,在附图中,相同的附图标记指示相同的元件。将会理解,附图并非按比例绘出,并且为了易于理解本专利技术而进行了简化。图1是根据本专利技术实施例的第一载体的示意性俯视图;图2是其上设置有第一粘合剂的图1的第一载体的示意性侧视图;图3是根据本专利技术另一实施例的其上设置有第一粘合剂的图1的第一载体的示意性侧视图;图4是示出图2和图3的第一粘合剂上的多个半导体芯片的放置的示意图;图5是根据本专利技术实施例的第二载体的示意性俯视图;图6是根据本专利技术另一实施例的第二载体的示意性俯视图;图7是根据本专利技术又一实施例的第二载体的示意性俯视图;图8是根据本专利技术再一实施例的第二载体的示意性俯视图;图9是示出根据本专利技术实施例的设置在第一载体上的半导体芯片的每个上的第二粘合剂的示意性侧视图;图10是根据本专利技术另一实施例的设置在第二载体上的芯片接收区域的每个上的第二粘合剂的示意性侧视图;图11是示出根据本专利技术实施例的将第一载体的多个第一全局标记与第二载体的多个第二全局标记相应对齐的示意图;图12是示出第二载体的尺寸被确定为容纳多于一个第一载体的实施例的示意图;图13是示出根据本专利技术实施例的第一载体和第二载体结合在一起以将半导体芯片附接至第二载体上的各个芯片接收区域的示意图;图14是示出根据本专利技术实施例的施加剪切力以从半导体芯片分离第一载体的示意图;图15是示出根据本专利技术实施例的从半导体芯片分离第一载体的示意图;图16是示出将半导体芯片附加至图5所示的第二载体的示意图;图17是示出根据本专利技术实施例的形成于图16所示的第二载体上的介电层的示意性侧视图;图18是示出根据本专利技术另一实施例的形成于图16所示的第二载体上的介电层的示意性俯视图;图19是示出根据本专利技术另一实施例的半导体加工步骤的示意图;图20是示出根据本专利技术又一实施例的半导体加工步骤的示意图;图21和22是根据本专利技术其他实施例的第二载体的示意性俯视图;和图23至26是根据本专利技术实施例形成的半导体封装的放大剖面图。具体实施方式以下结合附图给出的详细描述意为本专利技术目前优选实施例的描述,并不意在表示可以实践本专利技术的唯一形式。应理解,可以通过意在包括在本专利技术的范围内的不同实施例来实现相同或等同的功能。在所有附图中,相同的附图标记自始至终用于指示相同的元件。图1至22示出根据本专利技术实施例的半导体加工方法。在本说明书中,术语“全局标记”用于描述载体或初级的位置指示,术语“单元标记”用于描述单元级的位置指示,术语“芯片标记”用于描述半导体芯片上的位置指示,术语“次级全局标记”用于描述多载体或次级的位置指示。现在参照图1,提供第一或传递载体10。在本实施例中,第一载体10具有多个第一全局标记12。在所示实施例中,第一载体10也具有多个第一单元标记14,第一单元标记14定义多个芯片放置位置16。第一载体10可以提供为条或板的形式,并且可以由金属构成,例如,钢或铜,金属合金,玻璃或聚合物,例如FR4。在第一载体10由金属材料制成的实施例中,第一全局标记12与第一单元标记14可以通过化学蚀刻、激光蚀刻或使用传统的光刻技术或图案形成工艺的电镀形成于第一载体10上或形成于第一载体10中。在蚀刻的情况下,第一全局标记12和第一单元标记14可以被刻入第一载体10的表面。在电镀的情况下,金属第一载体10可以被用作导电平面,设置的第一全局标记12和第一单元标记14形成在第一载体10的表面上并突出于第一载体10的表面。在第一载体10由玻璃或聚合物制成的实施例中,第一全局标记12与第一单元标记14可以通过激光或油墨雕刻被刻入第一载体10。有利地,当第一载体10由玻璃制成时,因为玻璃具有低的热膨胀系数,因此当第一载体10在随后的工艺步骤中被加热时,形成于第一载体10中的第一全局标记12与第一单元标记14不会明显移动,从而可以提高加工精度。此外,由于第一全局标记12与第一单元标记14直接在第一载体10上生成,因此不涉及可能引入偏移或其它误差的额外工艺步骤。这也有助于提高加工精度。在所示实施例中,每个第一全局标记12具有不同的形状。有利地,在半导体加工方法中,这有助于定位第一载体10和相对于第一载体10定位其它元件或部件。尽管在所示实施例中示出在第一载体10的表面上设置两个(2)全局标记12并且示出提供两个(2)单元标记14以定义每个芯片放置位置16,但对于本领域普通技术人员应当理解的是,本专利技术并不受限于提供的第一全局标记12或第一单元标记14的数量。在可选实施例中,第一载体10可以具有更多数量的第一全局标记12和/或第一单元标记14。在本实施例中,可以基于第一全局标记12的位置确定第一单元标记14的位置。每个第一全局标记12可以设置在相对于另一个第一全局标记12固定的或选定的位置,每个第一单元标记14可以设置在相对于第一全局标记12和同一芯片放置位置16中的其他第一单元标记14固定的或选定的位置。第一全局标记12可以用于计算和确定第一单元标记14的位置,第一单元标记14可以用于计算和确定每个芯片放置位置16的中心,每个芯片放置位置16对应于将要安装的半导体芯片的单元位置。在这样的实施例中,芯片放置位置16的中心处于相对于第一全局标记12固定的或选定的位置。现在参照图2,如图所示,在第一或传递载体10上设置第一粘合剂18。第一粘合剂18可以通过层压、或通过丝网印刷或通过涂覆设置在第一或传递载体10上。在本实施例中,第一粘合剂18包括可释放粘合材料,可释放粘合材料具有释放机制,例如,在暴露于热、紫外线辐射、红外线辐射或化学溶液时导致可释放粘性材料失去实质的粘合强度。在一个实施例中,第一粘合剂18可以是粘合强度在暴露于热时显著减少的热释放薄膜。在所示实施例中,第一全局标记12与第一单元标记14被刻入第一载体10,因此不能延伸超过第一载体10的表面。在这样的实施例中,第一粘合剂18可以是透明的或半透明的,使得第一全局标记12与第一单元标记14是通过第一粘合剂18可见的。现在参照图3,示出了其上设置有第一粘合剂18的第一载体10的可选实施例。在所示实施例中,第一全局标记12与第一单元标记14形成于第一载体10的表面上并从第一载体10的表面突出。在这样的实施例中,第一粘合剂18封装第一全局标记12与第一单元标记14,使得只有第一全局标记12和第一单元标记14的上表面被暴露。在该实施例中,第一粘合剂18可以是不本文档来自技高网...
半导体加工方法

【技术保护点】
一种半导体加工方法,包括:提供第一载体;在所述第一载体上提供第一粘合剂;在所述第一粘合剂上放置多个半导体芯片;提供第二载体,其中所述第二载体具有多个芯片接收区域;将所述第一载体和第二载体结合在一起以将所述半导体芯片附接至所述第二载体上各自的所述芯片接收区域;以及从所述半导体芯片分离所述第一载体。

【技术特征摘要】
2015.08.14 SG 10201506419V;2015.11.06 SG 1020150921.一种半导体加工方法,包括:提供第一载体;在所述第一载体上提供第一粘合剂;在所述第一粘合剂上放置多个半导体芯片;提供第二载体,其中所述第二载体具有多个芯片接收区域;将所述第一载体和第二载体结合在一起以将所述半导体芯片附接至所述第二载体上各自的所述芯片接收区域;以及从所述半导体芯片分离所述第一载体。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一载体具有多个第一全局标记,所述第二载体具有多个第二全局标记,其中在将所述第一载体和第二载体结合在一起之前将所述第一全局标记与相应的第二全局标记对齐。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一全局标记的每一个具有不同的形状,所述第二全局标记的每一个具有与相应的所述第一全局标记相同的形状。4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:为所述第一载体提供多个第一单元标记,所述第一单元标记定义多个芯片放置位置。5.根据权利要求4所述的方法,其中为所述第一载体提供多个第一单元标记的步骤包括:基于所述第一全局标记的位置确定所述第一单元标记的位置。6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:在所述第一粘合剂上放置各个半导体芯片之前,将所述半导体芯片的每一个上的多个芯片标记与相应的所述第一单元标记对齐。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述芯片标记设置在所述半导体芯片的活性表面上。8.根据权利要求2所述的方法,其中所述芯片接收区域包括设置在所述第二载体上的多个芯片垫片。9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:在与各个所述芯片垫片相邻的所述第二载体的表面和所述芯片垫片自身中的一个上形成多个第二单元标记。10.根据权利要求9所述的方法,其中形成所述第二单元标记的步骤包括:基于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:周亦歆
申请(专利权)人:PEP创新私人有限公司
类型:发明
国别省市:新加坡;SG

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