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本发明涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接，且能分别测量各半导体芯片的特性。在第一接触部(131a)和第二接触部(141a)之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的螺纹孔(132)(连接区域)。此外，在半...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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