【技术实现步骤摘要】
本公开关于存储器装置,尤其涉及一种用于管理存储器装置中的多区块操作的系统、方法、电路以及设备。
技术介绍
1、一旦存储器装置中的存储器单元经编程,则可通过将单元电流与一个或多个读取参考电流进行比较来感测各存储器单元的编程状态而自存储器单元读取数据。可执行多区块读取操作以用于存储器内运算(computing-in-memory,cim)(或存储器式运算(in-memory-computing,imc))或存储器内搜索(in-memory-searching,ims)。然而,读取操作会在读取进程期间引起较大恒定电流,其对于电力系统可能是一个棘手的问题。
技术实现思路
1、本公开描述用于管理存储器装置中的多区块操作的方法、装置、系统以及技术,例如通过使用顺向电压读取及/或反向电压读取来实现存储器内运算(cim)类型非易失性存储器芯片或存储器内搜索(ims)类型存储器芯片中的多区块操作中的节电。
2、本公开的一个方面的特征在于一种存储器装置,包括:存储器单元阵列,包括各自具有多个存储器
...【技术保护点】
1.一种存储器装置,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述电路系统经配置为通过将所述电容器导电地连接至耦接至至少一个锁存器电路的感测电容器来侦测所述经放电电容器的所述电压电平。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中在所述电容器导电地连接至所述感测电容器之前,所述感测电容器经配置为经预充电至第一电压电平,以及
4.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述电容器的电容大于所述感测电容器的电容,使得当所述电容器导电地连接至所述感测电容器时,所述感测电容器的电压电平变为对应于所述经放电电容器的所述电压电平。
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...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述电路系统经配置为通过将所述电容器导电地连接至耦接至至少一个锁存器电路的感测电容器来侦测所述经放电电容器的所述电压电平。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中在所述电容器导电地连接至所述感测电容器之前,所述感测电容器经配置为经预充电至第一电压电平,以及
4.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述电容器的电容大于所述感测电容器的电容,使得当所述电容器导电地连接至所述感测电容器时,所述感测电容器的电压电平变为对应于所述经放电电容器的所述电压电平。
5.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述电路系统包括:
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中所述控制电路包括:
7.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述电路系统包括:
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述电容器包括形成于所述位线与至少一个邻近位线之间的寄生电容器。
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述电路系统经配置为:
10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器单元串导电地耦接至共用源极线(csl),所述共用源极线导电地耦接至接地,同时所述存储器单元串被导通。
11.一种存储器装置,包括:
12.根据权利要求11所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈威涵,洪俊雄,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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