【技术实现步骤摘要】
本技术设及半导体电阻，尤其设及一种可调节电阻值的半导体电阻结构。
技术介绍
在集成电路制造业内，半导体电阻的结构主要有两种，一种是单晶体电阻，一种是 多晶体电阻，相应地，制造方法也有两种。其中，单晶体电阻的优点是电阻值稳定，缺点是版 图面积大；而多晶体电阻的优点是版图面积小，缺点是电阻值不稳定。 因此，需要一种新的半导体电阻，W结合单晶体电阻和多晶体电阻的优点，并规避 二者的缺点。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供一种半导体电阻结构，结合了单晶体电阻和多晶 体电阻的优点，并规避了二者的缺点，而且还具有电阻值可调的特点。 为解决上述技术问题，本技术提供了一种半导体电阻结构，包括： 基底； 第一渗杂类型的阱区，形成在所述基底内；[000引栅介质层，至少部分位于所述阱区上； 栅极，至少部分位于所述栅介质层上； 第二渗杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述 栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二渗杂类型与所述第一渗杂类型相反。 根据本技术的一个实施例，所述基底包括： 半导体衬底； 第一渗杂类型的埋层，形成在所述半导体衬底内； ...
【技术保护点】
一种半导体电阻结构，其特征在于，包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洪雷，闻永祥，王昊，苏兰娟，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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