【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，涉及适用于例如具有线圈的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
作为在输入的电信号的电位互不相同的两个电路之间传输电信号的装置，存在使用了光电耦合器的装置。光电耦合器具有发光二极管等发光元件和光电晶体管(photo transistor)等受光元件，通过发光元件将输入的电信号转换为光，通过受光元件将该光复原为电信号，从而传输电信号。另外，开发了使两个线圈感应耦合，从而传输电信号的技术。例如，在专利文献1(日本特开2009-302418号公报)中，公开了具有第1线圈、第1绝缘层、第2线圈的电路装置。另外，在专利文献2(日本特开2003-309184号公报)中，公开了线圈和电容器形成在同一衬底上，具有多个层叠的线圈图案的复合模块。另外，在专利文献3(日本特开2009-141011号公报)、专利文献4(日本特开2004-311655号公报)及专利文献5(日本特开2004-281838号公报)中，分别公开了密封环、...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；以及形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，所述第2线圈与所述第3布线之间的距离比所述第2线圈与所述第2布线之间的距离大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，具有：
衬底；
形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；
形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；
形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；
形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；
形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；以及
形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，
所述第2线圈与所述第3布线之间的距离比所述第2线圈与所述第
2布线之间的距离大。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈与所述第2布线之间的距离大于等于所述第2绝缘膜
与所述第3绝缘膜的膜厚之和，所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜位于
所述第1线圈与所述第2线圈之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线、所述第2线圈及所述第3布线是含有铝的膜。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线、所述第2线圈及所述第3布线的膜厚为3μm以
上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜由无机绝缘膜构成。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
位于所述第1线圈与所述第2线圈之间的所述第2绝缘膜与所述
第3绝缘膜的膜厚之和为5μm以上。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第3绝缘膜具有形成于所述第2布线之间的第1膜和形成于
所述第1膜之上的第2膜。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈具有第1焊盘、和包围所述第1焊盘的线圈部，
所述第1焊盘的平面形状为边数比四边形多的多边形。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线和所述第3布线在形成于所述第3绝缘膜中的开口
部连接，
所述开口部的平面形状为边数比四边形多的多边形。
10.一种半导体器件，其特征在于，具有：
衬底；
形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；
形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；
形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；
形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线及第1虚拟布线；
形成于所述第2布线及所述第1虚拟布线之上的第3绝缘膜；以
及
形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，
所述第3绝缘膜具有：形成于所述第2绝缘膜与所述第1虚拟布
线之间的第1膜和形成于所述第1膜之上的第2膜。
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚孝行，船矢琢央，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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