电容结构以及堆叠型电容结构制造技术

本发明专利技术提供一种电容结构及堆叠型电容结构，其中电容结构包括导电基板，所述导电基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一个第一凹陷；第一介电层，覆盖所述第一表面以及所述第一凹陷；以及第一金属层，覆盖所述第一介电层，其中所述第一介电层与所述第一金属层具有与所述第一凹陷相应的凹陷结构。本发明专利技术可以使电容结构及堆叠型电容结构具有较高的集成度以及较高的电容量。

【技术实现步骤摘要】
电容结构以及堆叠型电容结构
本专利技术涉及半导体组件以及堆叠型半导体组件，尤其涉及一种电容结构以及堆叠型电容结构。
技术介绍
随着科技的进步,半导体组件的应用越来越广，在计算机、通讯(Communicat1n)与消费性电子(Consumer Electronics)产品领域,都需要大量使用具有不同功能的半导体组件。在上述的半导体组件中，电容是一个基本且重要的组件。在电路上来说，为了使负载的电压稳定，会在靠近负载的地方配置一个电容用来稳压。因此，对集成电路上的电路模块来说，最理想的偏压方式是在连接工作电压端及接地端配置电容器。 然而，随着半导体组件集成度(integrat1n)的增加，组件的尺寸逐渐缩小，可供电容极板使用的芯片面积因而被迫缩减。换言之，随着芯片尺寸的缩小，已逐渐无法使用较大面积的电容极板，电容器的储存电容值也因此相对减少。如此一来，此电容值的减少可能造成储存数据的错误。因此，如何在现行的集成电路制程中提出一种具有高集成度且高电容量的电容结构，以提升电容器性能，成为目前集成电路设计中的首要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容结构，其特征在于，包括：导电基板，所述导电基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一个第一凹陷；第一介电层，覆盖所述第一表面以及所述第一凹陷；以及第一金属层，覆盖所述第一介电层，其中所述第一介电层与所述第一金属层具有与所述第一凹陷相应的凹陷结构。

【技术特征摘要】
2013.09.12 TW 1021330501.一种电容结构，其特征在于，包括: 导电基板，所述导电基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一个第一凹陷； 第一介电层，覆盖所述第一表面以及所述第一凹陷；以及 第一金属层，覆盖所述第一介电层，其中所述第一介电层与所述第一金属层具有与所述第一凹陷相应的凹陷结构。2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷的数量为两个以上。3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括: 第二介电层，其中所述导电基板还包括与所述第一表面相对的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一个第二凹陷，且所述第二介电层覆盖所述第二表面以及所述第二凹陷；以及 第二金属层，覆盖所述第二介电层，其中所述第二介电层与所述第二金属层具有与所述第二凹陷相应的凹陷结构。4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷实质上与所述第二凹陷对齐。5.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷实质上不与所述第二凹陷对齐。6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述导电基板的材料包括半导体材料。7.—种堆叠型电容结构，其特征在于，包括至少两个权利要求1所述的电容结构，其中这些电容结构堆叠设置，而这些电容结构彼此并联，且任两个相邻的电容结构之间存在至少一个孔隙。8.根据权利要求7所述的堆叠型电容结构，其特征在于，在沿着各所述导电基板的纵向方向上，所述堆叠型电容结构的长度实质上介于0.1公分至1.5公分之间。9.根据权利要求7所述的堆叠型电容结构，其特征在于，在沿着...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄知澍，潘锡明，郑惟纲，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71