集成电路堆叠电容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种集成电路堆叠电容器，包括衬底和在衬底表面上相对设置的第一主极板与第二主极板，所述第一主极板与第二主极板之间设置有扩展极板，所述扩展极板仅与第一主极板或者第二主极板电学连接，两个主极板中未与此扩展极板电学连接的另一个主极板与扩展极板电学隔离。与现有技术相比而言，本实用新型专利技术所述的电容器在工艺成本和电学特性上做到平衡兼顾。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

集成电路堆叠电容器
本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及集成电路堆叠电容器。
技术介绍
集成电路制造领域中，电容是不可或缺的基本元件之一。为了降低集成电路的几何尺寸，提高单位面积上的电容值，尤其需要研发结构紧凑的电容结构。 堆叠(stack)电容是目前电容结构发展中产生的一种典型的紧凑型电容结构。附图1是现有技术中一种集成电路堆叠电容器10的结构示意图，包括衬底100和设置于衬底100表面的第一主极板110、第二主极板120和第三主极板130，还包括设置于第一极板110与第二极板130下方的第一扩展极板111与第二扩展极板121，以及用于电学连接主极板与对应的扩展极板之间的多个通孔112与122。第三主极板130也应包括对应的扩展极板，由于结构与上述第一扩展极板111与第二扩展极板121类似，因此在附图1中从略。 上述各个极板之间填充有介质材料，例如二氧化硅、氮化硅或者BPSG等。 其中第一极板与第三极板通过通孔140电学连接，并继续在垂直于衬底100的方向上与上方和下方的极板交替连接，第二极板也以同样的方式通过通孔150交错电学连接其余的极板，从而在衬底表面成一系列并联的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路堆叠电容器，包括衬底和在衬底表面上相对设置的一组主极板，包括第一主极板与第二主极板，其特征在于，所述第一主极板与第二主极板之间设置有扩展极板，所述扩展极板仅与第一主极板或者第二主极板之一电学连接，两个主极板中未与此扩展极板电学连接的另一个主极板与扩展极板电学隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张步新，王媛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]