一种用于堆叠式封装的铜针结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于堆叠式封装的铜针结构，包括：欲制备铜柱凸块的结构；以及铜针结构，通过焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上，各铜针的位置与欲制备铜柱凸块位置相对应，所述铜针结构的各铜针成型后插置并焊接固定于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。本实用新型专利技术将预先制备好的铜针直接插入至芯片或封装结构需要制作铜柱凸块的位置，以代替传统采用电镀制作铜柱的工艺，节省了工艺时间和工艺成本，提高了铜引脚封装堆栈的能力。本实用新型专利技术可实现多层的有源电子设备的垂直整合，由于不需要采用电镀等工艺，降低了工艺需求及其影响，可提高POP堆叠式封装结构的堆叠能力以及性能。本实用新型专利技术也可有效利用在PCB基板，TSV等技术中。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装结构及方法，特别是涉及一种用于堆叠式封装的铜针结构及其制备方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。随着封装密度不断提高，芯片与芯片或者芯片与封装基板的窄节距电学互连及其可靠性已成为挑战。传统的无铅焊料凸点技术已难以满足窄间距互连的进一步发展需求。铜柱凸点互连技术，以其良好的电学性能、抗电迁移能力，正成为下一代芯片窄节距互连的关键技术。微电子封装为半导体芯片提供了连接至电路基板的电气连接，同时对脆弱敏感的芯片加以保护，便于测试、返修、标准化输入，输出端口，以及改善半导体芯片与电路基板的热失配。为了顺应硅基半导体芯片技术的不断发展和环境保护法令对微电子封装的需求，微电子封装互连技术(结构和材料)也在不断演变：从引线键合到倒装芯片互连、从锡铅/高铅焊料凸点互连到无铅焊料凸点互连、从焊料凸点互连到铜柱凸点互连。作为下一代芯片封装互连技术，铜柱凸点互连正逐渐被越来越多的芯片封装设计所采用。铜柱凸点技术使得脚距密集化(Fine Pitch)、低高度、较高输入输出、比C4凸块有更好的可靠性，因此被广泛用于PMIC、储存设备、应用程序处理器等
中。然而，传统的铜柱工艺通常采用电镀工艺或化学镀工艺等方法制备，这些工艺步骤复杂，难以制备较大厚度的铜柱，而且需要的设备价格昂贵，不仅仅浪费时间，而且大大提高了生产成本。鉴于以上所述，提供一种结构及步骤简单，低成本的用于堆叠式封装的铜针结构及其制备方法实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于堆叠式封装的铜针结构及其制备方法，用于解决现有技术中铜柱凸点工艺复杂，成本较高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：步骤1)，制作若干根铜针；步骤2)，提供一网版，所述网版中形成有若干孔洞，将所述网版设置于欲制备铜柱凸块的结构之上，并使得各孔洞的位置与结构中欲制备铜柱凸块的位置相对应；步骤3)，于欲制备铜柱凸块位置的各孔洞内插置铜针。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，还包括步骤4)，采用植球工艺将各铜针固定连接于欲制备铜柱凸块的结构之上。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，还包括步骤：步骤5)，通过步骤1)～步骤4)将第一铜针结构制备于芯片之上；步骤6)，提供一支撑衬底，于所述支撑衬底表面形成粘合层，并于所述粘合层表面形成重新布线层；步骤7)，将制备有铜针结构的芯片装设于所述重新布线层上；步骤8)，通过步骤1)～4)将第二铜针结构制备于所述重新布线层上；步骤9)，采用封装材料封装各芯片，并露出第二铜针结构，剥离去除所述粘合层及支撑衬底，形成第一封装结构；步骤10)，通过步骤1)～步骤4)将第三铜针结构制备于重新布线层背面，提供第二封装结构，并藉由所述第三铜针结构实现第一封装结构与第二封装结构之间的互连。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，步骤1)包括：提供一铜线，将所述铜线拆分成多个铜针。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，步骤1)采用拉丝机或精密成型的方法制备所述若干根铜针。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，所述铜针的长度范围为50～200μm,铜针直径的范围为50-200μm。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，所述铜针结构用于芯片的铜柱凸块结构、POP堆叠式封装结构的铜柱凸块结构以及POP堆叠式封装结构的互连结构中的一种或两种以上组合。进一步地，所述芯片包括单一芯片及复合芯片中的一种。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，步骤3)中，在插入铜针前先于欲制备铜柱凸块位置的制作焊料粘结层。进一步地，所述焊料粘结层包括Sn层以及松香进一步地，制作所述Sn层的工艺包括蒸镀工艺、电镀工艺、化学镀工艺以及印刷工艺中的一种。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法的一种优选方案，步骤3)包
括：步骤3-1)，基于吸附装置将大量铜针释放于所述网版上，使得部分角度合适的铜针插入至部分孔洞内，并通过焊料粘结层粘合于孔洞底部；步骤3-2)，基于吸附装置将没插入至孔洞内的铜针重新吸附起来，然后重新释放于所述网版上，反复进行以上步骤使得所有孔洞内都插置有铜针为止。进一步地，所述吸附装置选用为真空吸附装置。本技术还提供一种用于堆叠式封装的铜针结构，包括：欲制备铜柱凸块的结构；以及铜针结构，通过焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上，各铜针的位置与欲制备铜柱凸块位置相对应，所述铜针结构的各铜针成型后插置并焊接固定于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的一种优选方案，所述铜针的长度范围为50-200μm,铜针直径的范围为50-200μm。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的一种优选方案，各铜针通过焊料层及松香焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的一种优选方案，所述铜针结构用于芯片的铜柱凸块结构、POP堆叠式封装结构的铜柱凸块结构以及POP堆叠式封装结构的互连结构中的一种或两种以上组合。进一步地，所述芯片包括单一芯片及复合芯片中的一种。作为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的一种优选方案，包括：第一封装结构及第二封装结构，包括：芯片，所述芯片表面形成有第一铜针结构，并装设于第一重新布线层上；第一重新布线层，所述第一重新布线层上形成有第二铜针结构；封装材料，封装于所述芯片及第一重新布线层上，并露出所述第二铜针结构；所述第一封装结构及第二封装结构通过第三铜针结构实现互连。如上所述，本技术的用于堆叠式封装的铜针结构及其制备方法，具有以下有益效果：本技术将预先制备好的铜针直接插入至芯片或封装结构需要制作铜柱凸块的位置，以代替传统采用电镀制作铜柱的工艺，大大的节省了工艺时间和工艺成本，并且大大提高了铜引脚封装堆栈的能力。本技术可实现多层的有源电子设备的垂直整合，由于不需要采用电镀等工艺，降低了工艺条件需求，并降低了工艺因素的影响，在POP堆叠时，用铜针取代锡球可以实现更小的间距(Pitch)，可以大大提高POP堆叠式封装结构的堆叠能力以及性能。本技术工艺及结构简单，可有效提高封装结构性能，降低成本，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。附图说明图1～图10显示为本技术的用于堆叠式封装的铜针结构的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。图11～图15显示为本技术的铜针结构用于芯片的铜柱凸块结构、POP堆叠式封装结构的铜柱凸块结构以及POP堆叠式封装结构的互连结构中的工艺及结构示意图。元件标号说明101 欲制备铜柱凸块的结构102 网版103 Sn层104 松香105 铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于堆叠式封装的铜针结构，其特征在于，包括：欲制备铜柱凸块的结构；铜针结构，通过焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上，各铜针的位置与欲制备铜柱凸块位置相对应，所述铜针结构的各铜针成型后插置并焊接固定于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。

【技术特征摘要】
1.一种用于堆叠式封装的铜针结构，其特征在于，包括：欲制备铜柱凸块的结构；铜针结构，通过焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上，各铜针的位置与欲制备铜柱凸块位置相对应，所述铜针结构的各铜针成型后插置并焊接固定于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。2.根据权利要求1所述的用于堆叠式封装的铜针结构，其特征在于：所述铜针的长度范围为50-200μm，铜针直径的范围为50-200μm。3.根据权利要求1所述的用于堆叠式封装的铜针结构，其特征在于：各铜针通过焊料层及松香焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。4.根据权利要求1所述的用于堆叠式封装的铜针结构，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡奇风，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32