一种晶圆系统级扇出型封装结构技术方案

本实用新型专利技术提供一种晶圆系统级扇出型封装结构，该晶圆系统级扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；至少一贴片元件，所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；至少一正面设有凸块的裸片，所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；塑封层，位于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。本实用新型专利技术的晶圆系统级扇出型封装结构将裸片与贴片元件一同封装在塑封层中，并通过重新布线层实现裸片与贴片元件的互连及引出，可以增加扇出功能整合性，提升单一芯片功能及效率，并优化体积。并优化体积。并优化体积。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆系统级扇出型封装结构


[0001]本技术属于半导体封装领域，涉及一种晶圆系统级扇出型封装结构。

技术介绍

[0002]随着5G通讯和人工智能(AI)时代的到来，应用于此类相关领域的芯片所要传输和高速交互处理的数据量非常巨大，该类芯片通常具有数量巨大的pad引脚(几百甚至上千个)、超精细的管脚大小和间距(几个微米甚至更小)。另一方面，移动互联网以及物联网方面的需求越来越强劲，电子终端产品的小型化和多功能化成为产业发展的大趋势。如何将多个不同种类的高密度芯片集成封装在一起构成一个功能强大且体积功耗又比较小的系统或者子系统，成为半导体芯片先进封装领域的一大挑战。
[0003]目前针对此类高密度芯片的多芯片集成封装，业界通常都是采用硅穿孔(TSV)、硅转接板(Si interposer)等方式进行，从而把芯片的超精细引脚进行引出和有效互联从而形成一个功能模块或者系统，但该技术的成本比较高，从而大大局限了它的应用范围。
[0004]随着人们对更高功能、更好的性能和更高的能源效率、更低的制造成本和更小的尺寸的不断需求，扇出晶圆级封装(FOWLP)技术已经成为满足电子设备对移动和网络应用需求的最有前途的技术之一。扇出型封装技术采用重构晶圆和重新布线RDL的方式为实现多芯片的集成封装提供了很好的平台，但是现有的扇出型封装技术中由于布线精度有限从而使得封装体的面积较大厚度较高，而且存在工序繁多、可靠性不高等诸多问题。
[0005]为适应微电子封装技术的多功能、小型化、便携式、高速度、低功耗和高可靠性发展趋势，系统级封装SIP(System In Package)技术作为新兴异质集成技术，成为越来越多芯片的封装形式，系统级封装是将多种功能芯片和元器件集成在一个封装内，从而实现一个完整的功能。系统级封装是一种新型封装技术，具有开发周期短，功能更多，功耗更低，性能更优良、成本价格更低，体积更小，质量轻等优点。
[0006]然而，随着对封装组件及功能越来越高的需求，现有的系统级封装会占用越来越大的面积及厚度，不利于集成度的提高。

技术实现思路

[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆系统级扇出型封装结构，用于解决现有技术中系统级封装体积难以缩小的问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆系统级扇出型封装结构，包括：
[0009]重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；
[0010]至少一贴片元件，所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；
[0011]至少一正面设有凸块的裸片，所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；
[0012]塑封层，位于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。
[0013]可选地，还包括凸点下金属层及焊料凸点，所述凸点下金属层位于所述重新布线层的第一面上，所述焊料凸点接合于所述凸点下金属层上。
[0014]可选地，还包括底部填充层，所述底部填充层位于所述裸片与所述重新布线层之间的间隙中。
[0015]可选地，所述重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一层介质层及至少一层金属布线层。
[0016]可选地，所述贴片元件包括被动元件。
[0017]如上所述，本技术的晶圆系统级扇出型封装结构将裸片与贴片元件一同封装在塑封层中，并通过重新布线层实现裸片与贴片元件的互连及引出，可以增加扇出功能整合性，提升单一芯片功能及效率，并优化体积。
附图说明
[0018]图1显示为一种晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法的工艺流程图。
[0019]图2显示为提供第一载体的示意图。
[0020]图3显示为形成释放层于所述第一载体上的示意图。
[0021]图4显示为形成重新布线层形成于所述释放层上的示意图。
[0022]图5显示为提供至少一贴片元件，将所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上的示意图。
[0023]图6显示为提供至少一正面设有凸块的裸片，将所述裸片正面接合于所述重新布线层3的第二面上的示意图。
[0024]图7显示为形成底部填充层于所述裸片与所述重新布线层之间的间隙中的示意图。
[0025]图8显示为形成塑封层于所述重新布线层的第二面上的示意图。
[0026]图9显示为提供第二载体，将所述第二载体接合于所述塑封层上的示意图。
[0027]图10显示为去除所述第一载体及所述释放层以暴露出所述重新布线层的第一面的示意图。
[0028]图11显示为形成凸点下金属层于所述重新布线层的第一面上的示意图。
[0029]图12显示为形成焊料凸点于所述凸点下金属层上的示意图。
[0030]图13显示为去除所述第一载体及所述释放层基本相同的方法去除所述第二载体及所述粘附层的示意图。
[0031]图14显示为切割所述重新布线层及所述塑封层，得到多个芯片的示意图。
[0032]元件标号说明
[0033]S1～S4
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步骤
[0034]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一载体
[0035]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
释放层
[0036]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
重新布线层
[0037]301
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介质层
[0038]302
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金属布线层
[0039]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
贴片元件
[0040]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
裸片
[0041]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
底部填充层
[0042]7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
塑封层
[0043]8ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二载体
[0044]9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
粘附层
[0045]10
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凸点下金属层
[0046]11
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焊料凸点
[0047]12
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蓝膜
[0048]13
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金属框架
[0049]14
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刀片
具体实施方式
[0050]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；至少一贴片元件，所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；至少一正面设有凸块的裸片，所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；塑封层，位于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。2.根据权利要求1所述的晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于：还包括凸点下金属层及焊料凸点，所述凸点下金属层位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：